[发明专利]半导体封装和封装半导体装置的方法在审
申请号: | 201910268535.X | 申请日: | 2015-06-08 |
公开(公告)号: | CN110085525A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 撒切黄桑·纳撒尼尔;迪曼诺·小安东尼·班巴拉;黄锐;陈华峰;李润基;何明永;德维拉·尼尔森·阿比斯特;罗伯斯·罗埃尔;米拉·文达尼·林撒加恩 | 申请(专利权)人: | 联测总部私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/544;H01L23/488 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟;郭婧婧 |
地址: | 新加坡宏*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包封材料 主表面 裸片 半导体封装 第二侧壁 电触点 覆盖 封装半导体装置 半导体裸片 第一侧壁 外部 | ||
本发明提供一种用于形成半导体封装的方法,其包括:提供至少一半导体裸片,其中所述裸片包括第一主表面和第二主表面以及第一侧壁和第二侧壁,以及形成于所述裸片的所述第一主表面上的外部电触点;以及形成包封材料,所述包封材料覆盖所述裸片的所述第一侧壁和所述第二侧壁的至少一部分,其中所述包封材料包括第一包封材料,其覆盖且直接接触所述裸片的至少所述第一主表面,以及第二包封材料,其覆盖且直接接触所述裸片的至少所述第一主表面,其中所述裸片的所述第一主表面上的所述第一包封材料和所述第二包封材料的总厚度小于所述外部电触点的总厚度。
本案为以下专利申请的分案申请:
申请号:2015103117897;
申请日:2015年6月8日;
发明名称:半导体封装和封装半导体装置的方法
本申请案主张2014年6月8日递交的发明名称为“在其上具有保护层的WLCSP(WLCSP Having Protective Layer Thereon)”的第62/009,309号美国临时申请案、2014年8月14日递交的发明名称为“在其上具有保护层的WLCSP(WLCSP Having Protective LayerThereon)”的第62/037,128号美国临时申请案、以及2014年11月18日递交的发明名称为“WLCSP侧壁保护(WLCSP Sidewall Protection)”的第62/081,541号美国临时申请案的优先权,所述临时申请案的公开内容以全文引用的方式并入本文中用于所有目的。
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域,具体涉及半导体封装和形成半导体封装的方法。
背景技术
电子产品的小型化正驱动对具有高电路密度和更多功能的较小大小的封装的需求。因而,需要更高的封装效率。对小型化的需求促使使用先进的封装,例如晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)。WLCSP是所希望的,因为它的大小与裸片本身大致相同或比裸片本身稍大,并且因此相比于其它类型的封装减小了所需的板上空间。然而,目前的WLCSP易受损坏,例如可能在晶片切割或封装分离期间形成的破裂和/或剥落。此类损坏可能导致芯片无法执行其所需功能。
鉴于前述,需要提供可靠的WLCSP以及用于形成这些封装的简化且经济的方法。
发明内容
实施例总体涉及半导体封装和用于形成半导体封装的方法。在一个实施例中揭示了一种用于形成半导体封装的方法。所述方法包括:提供具有第一主表面和第二主表面的晶片。其中所述晶片制备有安置在所述晶片的所述第一主表面上的多个裸片和多个外部电触点。所述方法包括处理所述晶片。处理所述晶片包括:将所述晶片分成多个单个裸片。其中单个裸片包括第一主表面和第二主表面以及第一侧壁和第二侧壁,并且所述外部电触点形成于所述裸片的所述第一主表面上。形成包封材料。所述包封材料覆盖所述裸片的第一侧壁和第二侧壁的至少一部分。
在另一个实施例中,展现了一种形成半导体封装的方法。所述方法包括提供半导体晶片。所述晶片具有第一主表面和第二主表面以及第一侧壁和第二侧壁,以及形成于所述裸片的第一主表面上的外部电触点。形成包封材料。所述包封材料覆盖所述裸片的第一侧壁和第二侧壁的至少一部分。
在另一个实施例中,揭示了一种一种半导体封装。所述半导体封装包括半导体裸片。所述裸片包括第一主表面和第二主表面以及第一侧壁和第二侧壁,以及安置在所述裸片的第一主表面上的多个外部电触点。所述半导体封装包括包封材料。所述包封材料安置在所述裸片的所述第一侧壁和第二侧壁的至少一部分上并且覆盖所述至少一部分。
这些实施例以及本文中所公开的其它优势和特征将通过参考以下描述和附图而变得显而易见。此外,应了解,本文中所描述的各种实施例的特征不是相互排斥的并且可以各种组合与排列存在。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造