[发明专利]一种锑化铟纳米线制备方法有效
申请号: | 201910269168.5 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN109989101B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 林东;张小菊;王涛;林子琦;刘守法 | 申请(专利权)人: | 西京学院 |
主分类号: | C25F3/20 | 分类号: | C25F3/20;C25D11/12;C25D11/08;C25D11/04;B22D19/00;B22D17/14;C25D11/18;C23C14/12;C23C14/14;C23C14/24;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40;B82Y10/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 马超前 |
地址: | 710100 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锑化铟 纳米 制备 方法 | ||
1.一种锑化铟纳米线制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)将铟颗粒及锑粉末混合置于真空环境中加热,真空环境为气压小于10-3mm Hg,熔融后持续加热至混合均匀,冷却形成InSb块状金属;
2)将InSb块状金属置于气压小于10-3mm Hg的真空环境中进行加热至400℃保温24小时,以50℃/H的速度冷却至室温;
3)利用纯铝片作为阳极氧化铝基板制备阳极氧化铝模板,所述的阳极氧化铝上有大小均一的纳米孔洞;
4)把步骤1)制备的InSb块状金属放在模具挤压内的阳极氧化铝模板上加热至530℃保温10分钟,InSb块状金属成熔融态,加压使熔融态锑化铟进入阳极氧化铝模板纳米孔内,冷却获得含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板;
5)对含有锑化铟纳米线的阳极氧化铝模板进行热处理,浸泡在铬酸与磷酸的混合溶液中,用乙醇过滤即可获得锑化铟纳米线;热处理具体为:温度为400℃保温时间1小时,再以每50℃/小时的速度冷却到室温。
2.根据权利要求1所述的一种锑化铟纳米线制备方法,其特征在于,步骤4)中加压具体为液压机压力50kg/cm2,持续时间1分钟。
3.根据权利要求1所述的一种锑化铟纳米线制备方法,其特征在于,步骤5)中铬酸与磷酸的混合溶液为:1.8wt%CrO3+6vol.%H3PO4+92vol.%H2O。
4.一种利用锑化铟纳米线制备有机场效应晶体管型内存的方法,其特征在于,包括以下步骤:
将权利要求1制备得到的锑化铟纳米线与聚甲基丙烯酸混合,置于甲醇中,经超声振动制备成纳米线悬浮液,利用旋转涂布机将纳米线悬浮液涂在1.5cm×1.5cm×300nm的SiO2基板上;
将并五苯镀在锑化铟纳米线层上,再镀上黄金电极,电极长宽分别为1000μm和50μm,沉积厚度为80nm,即得有机场效应晶体管型内存。
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