[发明专利]一种HBC太阳能电池在审
申请号: | 201910269928.2 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110061086A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 席珍珍 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/0236 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 冯子玲 |
地址: | 710099 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 晶硅 背表面 前表面 隧穿氧化层 太阳能电池 激光开槽 金属电极 欧姆接触 钝化膜 细栅线 电池 本征非晶硅层 氢化非晶硅层 掺杂非晶硅 叠印方式 钝化效应 多晶硅层 交替排列 开路电压 前表面场 区电极 主栅线 电极 浆料 铝浆 银浆 制备 背面 掺杂 上层 复合 节约 | ||
本发明的目的在于公开一种HBC太阳能电池,它包括晶硅衬底,晶硅衬底的前表面从内到外依次包括隧穿氧化层、多晶硅层和钝化膜;晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的背表面n+掺杂氢化非晶硅层和激光开槽区域、钝化膜和金属电极;金属电极包括与背表面n+掺杂非晶硅区域欧姆接触的细栅线、背面激光开槽P+区域欧姆接触的细栅线和主栅线电极;与现有技术相比,晶硅衬底的前表面采用隧穿氧化层实现了前表面场钝化效应,降低了前表面复合速率,提升了电池的开路电压,有助于电池整体性能的提升;采用底层银浆,上层铝浆的二次叠印方式制备P+区电极,节约浆料成本,实现本发明的目的。
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池结构,特别涉及一种HBC太阳能电池。
背景技术
随着光伏产业的发展,在晶体硅太阳能电池片生产中,光电转换效率的提升和电池制造成本的降低已成为整个光伏产业发展的根本,而随着工艺技术的不断进步,越来越多的高效电池进入人们的视野。而作为HIT电池与IBC电池优点结合产物的HBC电池成为太阳能产业未来提效的重点研究对象。
但是,目前HBC电池最高效率仍保持在26%左右,距离晶硅电池的理论效率仍有很大的提升空间。而优异的电池钝化性能无疑是效率提升的一大突破点。而浆料耗量在每年电池生产成本上占据很大份额,因此,如何降低浆料成本成为电池制造成本降低的重要环节。
在目前太阳能电池工艺中,一般采用SiO2、SiNx等进行表面钝化,但这种高温钝化带来的不同界面之间的热膨胀系数差、热氧化过程造成杂质再分布等问题严重影响着钝化性能;且完全采用银浆进行P+区印刷,浆料成本高。
因此,特别需要一种HBC太阳能电池,以解决上述现有存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种HBC太阳能电池,针对现有技术的不足,提高了HBC太阳能电池的开路电压,进而提升太阳能电池的整体性能,且在不降低太阳能电池性能的情况下,有效地降低了成本。
本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
一种HBC太阳能电池,其特征在于,它包括晶硅衬底,晶硅衬底的前表面从内到外依次包括隧穿氧化层、多晶硅层和钝化膜;晶硅衬底的背表面从内到外分别包括本征非晶硅层、交替排列的背表面n+掺杂氢化非晶硅层和激光开槽区域、钝化膜和金属电极;金属电极包括与背表面n+掺杂非晶硅区域欧姆接触的细栅线、背面激光开槽P+区域欧姆接触的细栅线和主栅线电极。
在本发明的一个实施例中,所述晶硅衬底为P型单晶硅衬底、P型多晶硅衬底、N型单晶硅衬底和N型多晶硅衬底中的任意一种。
在本发明的一个实施例中,所述晶硅衬底的前表面和背表面为制绒面或抛光面中的任意一种。
在本发明的一个实施例中,所述晶硅衬底的前表面为无前表面结构、N型前表面场结构(FSF)和P型前表面浮空发射区结构(FFE)中的任意一种。
在本发明的一个实施例中,所述晶硅衬底的前表面的钝化膜为SiO2、SiNx、AlOx中的一种或两种的组合。
在本发明的一个实施例中,所述晶硅衬底的前表面的隧穿氧化层通过热氧氧化、干氧氧化或湿氧氧化中的任意一种方式制得。
在本发明的一个实施例中,所述背面激光开槽P+区域欧姆接触的细栅线采用底层银浆,上层铝浆的二次叠印方式制备。
在本发明的一个实施例中,所述晶硅衬底的背表面的钝化膜为SiO2、SiNx、AlOx中的一种或两种。
在本发明的一个实施例中,所述背表面主栅线电极采用低温主栅银浆,紫外固化主栅银浆、银铝浆或铝浆中的任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的