[发明专利]一种抗静电聚四氟乙烯薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种抗静电聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，将聚四氟乙烯粉末与助挤剂混合均匀，静置、塑化，得到塑化后原料；

步骤二，将司盘60加入到乙醇溶液中溶解，加入纳米金属导电粉末，不断搅拌使纳米金属导电粉末表层均匀的涂覆司盘60，然后向其中加入纳米石墨，混合搅拌，使纳米石墨均匀的粘附在纳米导电材料表面，得到混合纳米粉末；

步骤三，将步骤一中的塑化后原料进行压坯、推压挤出、压延，制成厚度为0.20～0.35mm的基带；

步骤四，将两卷步骤三中的基带同时放卷输入脱脂机中进行脱脂并叠合，叠合前，在下层基带的上表面均匀的洒上步骤二中的混合纳米粉末，脱脂温度为100～180℃，输入速度为5～20m/min，得到叠合膜；

步骤五，将步骤四中的叠合膜进行纵向拉伸，拉伸倍数为10～30倍，牵伸温度为120～230℃，得到纵向牵伸后的膜；

步骤六，将步骤五中的纵向牵伸后的膜进行横向拉伸，得到聚四氟乙烯微孔膜，其中牵伸倍数为12～30倍。

2.如权利要求1所述的一种抗静电聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤三中，所述基带的厚度为0.25～0.30mm。

3.如权利要求2所述的一种抗静电聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤四中，脱脂温度为120～150℃，输入速度为8～10m/min。

4.如权利要求2所述的一种抗静电聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤五中，拉伸倍速为15～22倍，牵伸温度为170～200℃，在步骤六中，牵伸倍数为15～20倍。

5.如权利要求2所述的一种抗静电聚四氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤六中，牵伸倍数为15～20倍。

6.如权利要求1所述的一种抗静电聚四氟乙烯薄膜的制备方法制备的抗静电聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，包括以下质量分数的组分：

聚四氟乙烯分散树脂75％～90％；

纳米金属导电粉末5％～20％；

纳米石墨1％～5％。

7.如权利要求6所述的抗静电聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述聚四氟乙烯分散树脂的质量分数为80％～88％，所述纳米金属导电粉末的质量分数为12％～16％，所述纳米石墨的质量分数为2％～3％。

8.如权利要求6所述的抗静电聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述纳米金属导电粉末包括纳米铝粉、纳米铜粉或纳米铁粉中任意一种或几种。

9.如权利要求6所述的抗静电聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述纳米金属导电粉末的粒径为20～100nm。

10.如权利要求6所述的抗静电聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述纳米石墨的粒径为0～10nm。