[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910270223.2 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN111785834A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 毛霖;唐泽国 | 申请(专利权)人: | 北京宏泰创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市大兴区经济技术*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括:衬底(10)和顺次叠置于所述衬底(10)上的底电极(20),第一传输层(30),光吸收层(40),第二传输层(50)和顶电极(60),其中在所述第二传输层的部分区域设置有绝缘层(70),所述绝缘层(70)至少自所述第二传输层(50)贯穿至所述光吸收层(40)。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述顶电极(60)完全覆盖所述绝缘层(70),并且所述部分区域的选取面积小于所述钙钛矿太阳能电池的理论有效面积。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述部分区域的选取面积与所述理论有效面积的比值小于2%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述绝缘层(70)的材料选用带隙为5.0ev以上的聚合物。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述绝缘层(70)的电阻率大于105Ω·m。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述绝缘层(70)的厚度为1μm-1mm。
7.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
依次在衬底(10)上制备底电极(20),第一传输层(30),光吸收层(40),第二传输层(50);
在所述第二传输层(50)的部分区域上制备绝缘层(70),所述绝缘层(70)至少自所述第二传输层(50)贯穿至所述光吸收层(40);
在所述第二传输层(50)上制备顶电极(60)。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在所述第二传输层(50)上制备顶电极(60),具体包括:
制备所述顶电极(60),所述顶电极(60)完全覆盖所述绝缘层(70),并且所述部分区域的选取面积小于所述钙钛矿太阳能电池的理论有效面积。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法,其特征在于,在所述第二传输层(50)的部分区域上制备绝缘层(70)之前,所述方法,还包括:
在所述第二传输层(50)上进行缺陷检测,确定所述部分区域。
10.根据权利要求7或8所述的制备方法,其特征在于,在所述第二传输层(50)的部分区域上制备绝缘层(70),具体包括:
将带隙为5.0ev以上的聚合物沉积并且完全覆盖于所述部分区域。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述聚合物至少包括:
聚甲基丙烯酸甲酯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚二甲基硅氧烷,聚苯乙烯,2,2'-双(4-羟基苯基)丙烷聚碳酸酯,聚对苯二甲酸乙二醇酯,聚醚砜,聚萘二甲酸乙二醇酯和聚酰亚胺中的一种。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述将带隙为5.0ev以上的聚合物沉积并且完全覆盖于所述部分区域,具体包括:
将聚氧化乙烯的溶液滴注于所述部分区域,并且完全覆盖所述部分区域;
将所述聚氧化乙烯固化于所述部分区域。
13.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述将带隙为5.0ev以上的聚合物沉积并且完全覆盖于所述部分区域,具体包括:
将聚甲基丙烯酸甲酯的溶液喷墨打印于所述部分区域,并且完全覆盖所述部分区域;
将所述聚甲基丙烯酸甲酯固化于所述部分区域。
14.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述将带隙为5.0ev以上的聚合物沉积并且完全覆盖于所述部分区域,具体包括:
将聚二甲基硅氧烷的溶液滴注于所述部分区域,并且完全覆盖所述部分区域;
将所述聚二甲基硅氧烷固化于所述部分区域。
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