[发明专利]离子注入设备中传感器的校准机构及其校准方法在审
申请号: | 201910270293.8 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN109990820A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 黄家明 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G01D18/00 | 分类号: | G01D18/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 校准面 传感器 校准机构 定位孔 校准件 离子注入设备 校准架 校准 机台 传感器位置 校准传感器 平行相对 耦合连接 误报警 申请 承载 | ||
1.一种离子注入设备中传感器的校准机构,其特征在于,包括:
传感器,所述传感器包括至少三个定位孔;
校准架,所述校准架包括平行相对的第一校准面和第二校准面,用于承载所述传感器,所述第一校准面和第二校准面分别设置至少两个凹槽,通过所述凹槽与所述传感器的定位孔固定连接;以及
辅助校准件,所述辅助校准件的一端被设置为用于与所述定位孔耦合连接,且所述辅助校准件的长度大于第一校准面和第二校准面之间的间距。
2.如权利要求1所述的离子注入设备中传感器的校准机构,其特征在于,所述校准机构至少包括两组传感器,每组传感器又包括用于发射光信号的发射传感器和用于接收光信号的接收传感器。
3.如权利要求1所述的离子注入设备中传感器的校准机构,其特征在于,所述第一校准面用于承载接收传感器,第二校准面用于承载发射传感器。
4.如权利要求1所述的离子注入设备中传感器的校准机构,其特征在于,所述辅助校准件与所述定位孔耦合连接的一端长度为3mm-5mm。
5.如权利要求1所述的离子注入设备中传感器的校准机构,其特征在于,所述凹槽在每一个校准面上的间距与传感器在同一方向上定位孔之间的间距相同。
6.一种离子注入设备中传感器的校准方法,其特征在于,包括:
将需校准的第一传感器固定至校准机构的第一校准面,所述传感器包括至少三个定位孔,所述第一校准面具有凹槽,所述至少三个定位孔与所述第一校准面上的凹槽固定连接;
将两个辅助校准件的一端穿过所述校准机构的第二校准面上的凹槽,与所述第一传感器的两个定位孔耦合连接,其中,所述辅助校准件的长度大于第一校准面和第二校准面之间的间距;
将第二传感器的两个定位孔定位至所述两个辅助校准件的另一端,并将所述第二传感器其余的定位孔固定至所述第二校准面上的凹槽;
去除所述辅助校准件,将所述第二传感器的两个定位孔固定至所述第二校准面上的凹槽。
7.如权利要求6所述的校准方法,其特征在于,第一传感器为用于发射光信号的发射传感器,第二传感器为用于接收光信号的接收传感器。
8.如权利要求6所述的校准方法,其特征在于,所述第一传感器和第二传感器都包括四个定位孔,其中
将两个辅助校准件的一端穿过所述校准机构的第二校准面上的凹槽,与所述第一传感器的两个定位孔耦合连接这一步骤中所述的两个定位孔呈对角设置。
9.如权利要求6所述的校准方法,其特征在于,所述辅助校准件与所述定位孔耦合连接的一端长度为3mm-5mm。
10.如权利要求6所述的校准方法,其特征在于,所述第一校准面和第二校准面上分别设置有两条凹槽,所述凹槽在每一个校准面上的间距与传感器在同一方向上定位孔之间的间距相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910270293.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。