[发明专利]一种首饰真空贵金属溅射设备及工艺

权利要求书

1.一种首饰真空贵金属溅射设备，其特征在于：包括磁控金箱体(1)、磁控金箱门(2)、控制开关(3)、真空抽气系统(4)、贵金属磁控溅射靶(5)、加热器(6)、物料旋转执行机构(7)和物料架(8)，所述磁控金箱体(1)内设置有溅射室，所述溅射室入口处设置有磁控金箱门(2)，所述磁控金箱体(1)上设置有用于控制设备运行状态的控制开关(3)，所述磁控金箱体(1)上设置有真空抽气系统(4)，，所述真空抽气系统(4)与溅射室通过导气管连通，所述溅射室内设置有至少一个贵金属磁控溅射靶(5)，所述溅射室上部设置有加热器(6)，所述溅射室底部设置有物料旋转执行机构(7)，所述物料旋转执行机构(7)上设置有用于悬挂物料的物料架(8)。

2.如权利要求1所述的一种首饰真空贵金属溅射设备，其特征在于：所述物料旋转执行机构(7)包括自转定齿圈(71)、托盘(72)、公转座(73)、公转连接柱体(74)、自转杆座(75)、自转动齿轮(76)、公转动齿圈(77)、物料旋转动力电机(78)、物料旋转主动齿轮(79)、物料旋转上限位盘(80)、物料旋转连接杆(801)和主轴(802)，所述自转定齿圈(71)固设在溅射室底部，所述自转定齿圈(71)内溅射室底部竖直竖直有主轴(802)，所述主轴(802)上端设置有公转座(73)，所述公转座(73)下部自转定齿圈(71)上设置有托盘(72)，所述托盘(72)与公转座(73)之间设置有公转连接柱体(74)，所述公转座(73)内设置有公转动齿圈(77)，所述溅射室底部底部设置有物料旋转动力电机(78)，所述物料旋转动力电机(78)的旋转轴上设置有物料旋转主动齿轮(79)，所述物料旋转主动齿轮(79)与公转动齿圈(77)啮合，所述公转座(73)上部设置有物料旋转连接杆(801)，所述物料旋转连接杆(801)上端物料旋转上限位盘(80)，所述托盘(72)和公转座(73)上穿过设置有自转杆座(75)，所述自转杆座(75)下端设置有自转动齿轮(76)，所述自转动齿轮(76)与自转定齿圈(71)啮合。

3.如权利要求1所述的一种首饰真空贵金属溅射设备，其特征在于：所述物料架(8)包括物料自转杆(81)、物料悬挂座(83)、物料悬挂杆(84)和限位防脱螺帽(85)，所述物料自转杆(81)上固设有物料悬挂座(83)，所述物料悬挂座(83)周围设置有物料悬挂杆(84)，所述物料自转杆(81)上端设置有限位防脱螺帽(85)。

4.如权利要求3所述的一种首饰真空贵金属溅射设备，其特征在于：所述物料自转杆(81)下端设置有物料自转套筒(82)，所述物料自转套筒(82)侧部设置有卡槽，所述自转杆座(75)上端侧部设置有限位横杆，所述限位横杆设置在卡槽。

5.如权利要求1所述的一种首饰真空贵金属溅射设备，其特征在于：所述加热器(6)内设置有电热丝。

6.如权利要求1所述的一种首饰真空贵金属溅射设备，其特征在于：所述溅射室内设置有两个贵金属磁控溅射靶(5)。

7.一种首饰真空贵金属溅射工艺，其特征在于：包括

A)净化处理：将首饰进行清洗处理；

B)去静电：对首饰进行去静电处理；

C)上料：将首饰挂在溅射室内；

D)抽真空：对溅射室进行分级抽真空；

E)溅射处理：向溅射室内充入氩气，采用贵金属磁控溅射靶，在首饰表面沉积贵金属，溅射处理的温度为260-400摄氏度，溅射处理的时间为5-20分钟。

8.如权利要求7所述的一种首饰真空贵金属溅射工艺，其特征在于：所述步骤A)中，采用酒精在超声波设备中清洗30分钟,去除污点和指纹。

9.如权利要求7所述的一种首饰真空贵金属溅射工艺，其特征在于：所述步骤B)中，首先采用旋片泵将真空处理箱体内抽到7pa以下，然后通过分子泵将真空处理箱体内抽到3pa。

10.如权利要求7所述的一种首饰真空贵金属溅射工艺，其特征在于：所述步骤E)中,所述溅射处理的温度为310摄氏度，溅射处理的时间为10分钟。