[发明专利]用于针对温度管理控制地址的半导体存储器件有效
申请号: | 201910270481.0 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN110364192B | 公开(公告)日: | 2023-03-17 |
发明(设计)人: | 陈永栽;文英硕 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/04 | 分类号: | G11C7/04;G11C8/18 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 针对 温度 管理 控制 地址 半导体 存储 器件 | ||
本申请提供了用于控制针对温度管理的地址的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括单元电路,该单元电路包括布置在单元裸片叠层中的多个单元裸片。半导体器件还包括被配置成控制单元电路的控制电路,其中该控制电路包括地址解码器和地址转换电路。地址解码器被配置成对由主机提供的地址信号进行解码,并输出包括第一地址的地址信息,所述第一地址识别多个单元裸片中的由主机请求的第一单元裸片。地址转换电路被配置成使用地址信息将第一地址转换成第二地址,并将第二地址提供给单元电路,其中,第二地址被用来识别多个单元裸片中的与第一单元裸片不同的第二单元裸片。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年4月10日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2018-0041449的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
各种实施例总体而言涉及半导体存储器件,其用于控制地址以便管理由于对单元裸片(cell die)的集中访问而引起的温度升高。
背景技术
对于其中层叠了多个单元裸片的半导体存储器件,当单元裸片受到集中的访问(access)时,单元裸片的温度会升高。
在这种情况下,不仅该单元裸片而且相邻的单元裸片都可能经历由于高温而引起的数据存储特性恶化以及数据损坏(data corruption)。
发明内容
根据本公开,一种半导体存储器件包括单元电路,该单元电路包括布置在单元裸片叠层(stack)中的多个单元裸片。半导体器件还包括被配置成控制单元电路的控制电路,其中,控制电路包括地址解码器和地址转换电路。地址解码器被配置成对由主机提供的地址信号进行解码,并输出包括第一地址的地址信息,该第一地址识别多个单元裸片中的由主机请求的第一单元裸片。地址转换电路被配置成使用地址信息来将第一地址转换成第二地址,并将第二地址提供给单元电路,其中,第二地址被用来识别多个单元裸片中的与第一单元裸片不同的第二单元裸片。
附图说明
在附图中,遍及各个视图相同的附图标记指代相同或功能相似的元件。附图连同下面的详细描述被并入说明书中并形成说明书的一部分,并且用于进一步说明包括要求保护的新颖性的概念的实施例,以及解释那些实施例的各种原理和优点。
图1示出说明根据本公开的实施例的半导体存储器件的框图。
图2示出说明根据本公开的实施例的半导体存储器件的叠层结构的示图。
图3示出说明根据本公开的实施例的半导体存储器件的地址转换电路的操作的示图。
具体实施方式
在描述与本公开一致的实施例的过程中,以下详细描述参考了附图。出于说明性目的而提供实施例的示例,并且该示例不是详尽的。未明确说明或描述的其他实施例是可能的。此外,在本公开的范围内可以对所提供的实施例进行修改。详细的描述并不意在限制本公开。相反,仅根据所提出的权利要求及其等同物来限定本公开的范围。
图1示出说明根据本公开的实施例的半导体存储器件100的框图。
如图所示,半导体存储器件100包括单元电路110、控制电路120和数据传输电路130。
数据传输电路130向诸如主机的外部设备传送数据,并从诸如主机的外部设备接收数据。
单元电路110和数据传输电路130通过总线电路131来传送和接收数据。
因为数据传输电路130和总线电路131是本领域公知的结构,所以省略其详细描述。
单元电路110包括层叠的多个单元裸片111。
控制电路120和数据传输电路130可以被包括在逻辑裸片1中,并且可以与单元电路110层叠在一起,如图2中所示。
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