[发明专利]半导体结构、高电子迁移率晶体管及半导体结构制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一衬底，具有一坑洞从该衬底的一上表面暴露出来；

一可流动介电材料垫层，形成于该坑洞中，该可流动介电材料垫层的一上表面位于该衬底的该上表面之下；

一回流保护层，形成于该衬底与该可流动介电材料垫层的该上表面上；以及

一氮化镓系半导体层，设置于该回流保护层之上。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该可流动介电材料垫层的该上表面具有内凹轮廓。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该可流动介电材料垫层的厚度相对于该坑洞的深度的比例为0.15至0.8。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该回流保护层的一凸出部份延伸进入并填满该坑洞。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该回流保护层的该凸出部份直接接触该可流动介电材料垫层的该上表面。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，该回流保护层的该凸出部份的一下表面共形于该可流动介电材料垫层的该上表面。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该衬底为氮化铝衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底或以上任意组合。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该可流动介电材料垫层包括旋转涂布玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃、或以上任意组合。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该回流保护层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或以上任意组合。

10.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

一氮化铝衬底，具有一坑洞从该氮化铝衬底的一上表面暴露出来；

一可流动介电材料垫层，形成于该坑洞中，该可流动介电材料垫层的一上表面位于该氮化铝衬底的该上表面之下；

一回流保护层，形成于该氮化铝衬底与该可流动介电材料垫层的该上表面上；

一氮化镓半导体层，设置于该回流保护层之上；

一氮化镓铝半导体层，设置于该氮化镓半导体层之上；以及

一源极电极、一漏极电极和一栅极电极，设置于该氮化镓铝半导体层之上。

11.如权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该氮化镓半导体层的厚度为5微米至15微米。

12.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，该衬底具有一坑洞从该衬底的一上表面暴露出来；

在该衬底上形成一可流动介电材料；

进行一热处理，使该可流动介电材料回流至该坑洞中；

移除该可流动介电材料在该坑洞以外的部分且暴露出该衬底的该上表面，以在该坑洞中形成一可流动介电材料垫层，其中该可流动介电材料垫层的一上表面位于该衬底的该上表面之下；

在该衬底与该可流动介电材料垫层的该上表面上形成一回流保护层；以及

在该回流保护层之上形成一氮化镓系半导体层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该衬底为氮化铝衬底、碳化硅衬底、蓝宝石衬底或以上任意组合。

14.如权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该可流动介电材料包括旋转涂布玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、氟硅酸盐玻璃、或以上任意组合。

15.如权利要求12所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该热处理的温度为300℃至800℃。