[发明专利]一种显示面板及其制备方法有效
| 申请号： | 201910271162.1 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109935601B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 杨明;张粲;玄明花;徐传祥;张锋;孙中元;陈小川 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板划分为封装区和位于所述封装区外围的周边区；
所述显示面板包括：
衬底；
依次设置于所述衬底上的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层位于所述封装区和所述周边区，且在所述周边区，所述第一导电层与所述第二导电层在所述衬底上的正投影至少部分重叠；
设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间的有机绝缘层，所述有机绝缘层位于所述封装区；
设置于所述第一导电层与所述第二导电层之间的第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层包括第一子无机绝缘层，所述第一子无机绝缘层位于所述周边区；
所述第一导电层包括位于所述封装区的第一栅极、以及位于所述周边区的第一电极；所述第二导电层包括位于所述封装区的源漏金属层、以及位于所述周边区的第二电极；
其中，所述第一电极与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机绝缘层还包括设置于所述封装区的第二子无机绝缘层，所述第二子无机绝缘层与所述第一子无机绝缘层成一体结构；
其中，所述第二子无机绝缘层的厚度范围为
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一无机绝缘层设置于所述有机绝缘层背离所述衬底一侧；
所述显示面板还包括设置于所述有机绝缘层与所述第一导电层之间的第二无机绝缘层，所述第二无机绝缘层包括第三子无机绝缘层，所述第三子无机绝缘层位于所述封装区。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二无机绝缘层还包括第四子无机绝缘层，所述第四子无机绝缘层与所述第三子无机绝缘层成一体结构，所述第四子无机绝缘层位于所述周边区；
其中，所述第四子无机绝缘层的厚度小于或等于所述第三子无机绝缘层的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括设置于所述第一导电层背离所述第二导电层一侧的第三导电层，所述第三导电层位于封装区；
所述第三导电层与所述第一导电层之间通过第三无机绝缘层间隔开。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第三导电层包括第二栅极，所述第二栅极在所述衬底上的正投影与所述第一栅极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板划分为封装区和位于所述封装区外围的周边区，显示面板的制备方法包括：
在衬底上形成第一导电层，所述第一导电层位于所述封装区和所述周边区；
在所述第一导电层背离所述衬底一侧形成有机绝缘层和第一无机绝缘层；所述有机绝缘层位于所述封装区；所述第一无机绝缘层包括第一子无机绝缘层，所述第一子无机绝缘层位于所述周边区；
在所述衬底上形成第二导电层，所述第二导电层位于所述封装区和所述周边区；在所述周边区，所述第二导电层与所述第一导电层在所述衬底上的正投影至少部分重叠；
所述第一导电层包括位于所述封装区的第一栅极、以及位于所述周边区的第一电极；所述第二导电层包括位于所述封装区的源漏金属层、以及位于所述周边区的第二电极；
其中，所述第一电极与所述第二电极在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一无机绝缘层还包括位于所述封装区的第二子无机绝缘层，所述第二子无机绝缘层与所述第一子无机绝缘层成一体结构；
其中，所述第二子无机绝缘层的厚度范围为
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910271162.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
