[发明专利]一种OLED封装结构及OLED封装方法在审
| 申请号： | 201910271992.4 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110071223A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 梁晓明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装结构 框胶 金属封装层 阵列基板 盖板 封装 薄膜封装层 使用寿命 相对设置 水氧 | ||
1.一种OLED封装结构，其特征在于，包括：
相对设置的阵列基板和盖板；
设于所述阵列基板和所述盖板之间的OLED器件、框胶和金属封装层；所述框胶围绕在所述OLED器件的四周，所述金属封装层围绕在所述框胶的四周；
设于所述OLED器件上的薄膜封装层。
2.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述金属封装层朝向所述盖板的一侧还设有金属过渡层。
3.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述金属封装层朝向所述阵列基板的一侧还设有金属过渡层。
4.根据权利要求3所述的OLED封装结构，其特征在于，所述金属过渡层朝向所述阵列基板的一侧还设有绝缘层。
5.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述金属封装层的材料为熔点低于预设温度的合金，所述合金为铋、镉、锡、铟中至少两种金属的合金。
6.根据权利要求2或3所述的OLED封装结构，其特征在于，所述金属过渡层的材料为铝。
7.一种OLED封装方法，其特征在于，包括：
提供阵列基板和盖板；
在所述阵列基板上依次形成OLED器件和薄膜封装层；
在所述OLED器件的四周形成框胶；
将所述盖板与所述阵列基板进行组合，并在组合后的盖板和阵列基板之间形成金属封装层；所述金属封装层围绕在所述框胶的四周。
8.根据权利要求7所述的OLED封装方法，其特征在于，在所述将所述盖板与所述阵列基板进行组合之前，还包括：
在所述框胶的四周依次形成绝缘层和金属过渡层；
在所述盖板上形成金属过渡层；所述盖板上的金属过渡层与所述阵列基板上的金属过渡层的位置相对应。
9.根据权利要求8所述的OLED封装方法，其特征在于，所述在组合后的盖板和阵列基板之间形成金属封装层，具体包括：
采用3D打印的方式将熔点低于预设温度的合金打印到所述盖板的金属过渡层和所述阵列基板的金属过渡层之间，形成金属封装层。
10.根据权利要求7所述的OLED封装方法，其特征在于，所述在组合后的盖板和阵列基板之间形成金属封装层之后，还包括：
对所述盖板和所述阵列基板的边缘进行打磨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
