[发明专利]一种锗铅合金材料的制备方法

权利要求书

1.一种锗铅合金材料的制备方法，其特征在于，所述方法基于金属诱导结晶，所述方法包括如下步骤：

在衬底上沉积基底介质层，所述的衬底包括单晶硅（Si）衬底或者单晶（Ge）衬底；所述的基底介质层包括氮化硅（SiN）和/或氧化硅（SiO₂）；

在基底介质层中形成开孔， 所述衬底从所述开孔露出的部分被作为生长种子窗口；

在所述基底介质层表面以及从所述开孔露出的衬底表面沉积包含锗（Ge）元素和铅（Pb）元素的材料层；包含锗（Ge）元素和铅（Pb）元素的所述材料层的厚度为50-300nm；所述材料层中，Pb单质与Ge单质的摩尔比百分比为(2-20)：(80-98)；

在所述材料层表面沉积阻挡介质层，所述的阻挡介质层包括氮化硅（SiN）和/或氧化硅（SiO₂）；以及

对所述衬底进行退火，在所述材料层中形成所述锗铅合金材料；所述退火包括高温退火或激光退火，所述高温退火的温度为800-1200℃，时间为1秒-10分钟，所述激光退火的激光能量密度为200-800 mJ/cm²，脉冲次数为1-100。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述的基底介质层的厚度为20-200nm。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

对所述开孔进行清洗，去除从所述开孔露出的衬底表面的氧化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

包含锗（Ge）元素和铅（Pb）元素的所述材料层包括：

在厚度方向上至少包含第一锗（Ge）材料层、铅（Pb）材料层和第二锗（Ge）材料层的叠层材料层；或者，

包含锗（Ge）元素和铅（Pb）元素的单层材料层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：

对包含锗（Ge）元素和铅（Pb）元素的所述材料层进行刻蚀，使所述材料层在平行于所述衬底的表面的平面上成为条状。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的阻挡介质层的厚度为200-1000nm。