[发明专利]一种薄膜纵向不均匀性检测方法、装置及终端和检测系统在审
申请号: | 201910273286.3 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN111781148A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 孙瑶;钟大龙;王新宇 | 申请(专利权)人: | 神华(北京)光伏科技研发有限公司 |
主分类号: | G01N21/21 | 分类号: | G01N21/21;G01N21/27 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 王崇 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 纵向 不均匀 检测 方法 装置 终端 系统 | ||
1.一种薄膜纵向不均匀性检测方法,其特征在于,包括:
获取被测样品的椭偏光谱曲线信息,所述被测样品至少包括被测薄膜;
根据所述被测样品的特性建立各向同性的物理模型,所述物理模型至少包括薄膜模型;
将所述薄膜模型所含有的至少一个变量参数转换为至少一组梯度化变量参数;
以所述被测样品的椭偏光谱曲线信息为曲线拟合目标,利用所述薄膜模型对至少一组梯度化变量参数进行曲线拟合,获得被测样品的光电参数在被测样品纵向方向上的变化曲线信息;
根据所述被测样品的光电参数在被测样品纵向方向上的变化曲线信息确定被测样品的纵向不均匀性。
2.根据权利要求1所述的薄膜纵向不均匀性检测方法,其特征在于,所述进行曲线拟合的收敛条件为均方误差值小于80。
3.根据权利要求1所述的薄膜纵向不均匀性检测方法,其特征在于,所述进行曲线拟合的收敛条件为均方误差值小于20。
4.根据权利要求1所述的薄膜纵向不均匀性检测方法,其特征在于,所述被测样品的光电参数包括满足克莱默-克朗尼格关系的光学常数和/或满足克莱默-克朗尼格关系的介电常数。
5.根据权利要求1所述的薄膜纵向不均匀性检测方法,其特征在于,所述物理模型还包括基体模型和表面模型,所述薄膜模型位于所述基体模型和所述表面模型之间,所述基体模型为柯西模型,所述薄膜模型为洛伦兹模型或高斯模型,所述表面模型为有效介质模型。
6.根据权利要求1~5任一项所述的薄膜纵向不均匀性检测方法,其特征在于,所述将所述薄膜模型所含有的至少一个变量参数转换为至少一组梯度化变量参数包括:
按照对拟合结果影响权重由高到低的顺序,选择薄膜模型中的一个或两个变量参数进行梯度化转换;
和/或,
所述梯度化变量参数包括线性梯度变化的变量参数或非线性梯度变化的变量参数。
7.一种薄膜纵向不均匀性检测装置,其特征在于,包括:
接收单元,用于获取被测样品的椭偏光谱曲线信息,所述被测样品至少包括被测薄膜;
模型化单元,用于根据所述被测样品的特性建立各向同性的物理模型,所述物理模型包括至少包括薄膜模型;将所述薄膜模型所含有的至少一个变量参数转换为至少一组梯度化变量参数;
曲线拟合单元,用于以所述被测样品的椭偏光谱曲线信息为曲线拟合目标,利用所述薄膜模型对至少一组梯度化变量参数进行曲线拟合,获得被测样品的光电参数在被测样品纵向方向上的变化曲线信息;
分析单元,用于根据所述被测样品的光电参数在被测样品纵向方向上的变化曲线信息评价被测样品的纵向不均匀性。
8.根据权利要求7所述的薄膜纵向不均匀性检测装置,其特征在于,所述进行曲线拟合的收敛条件为均方根误差值小于80;
和/或,
所述被测样品的光电参数包括满足克莱默-克朗尼格关系的光学常数和/或满足克莱默-克朗尼格关系的介电常数;
和/或,
所述物理模型还包括基体模型和表面模型,所述薄膜模型位于所述基体模型和所述表面模型之间,所述基体模型为柯西模型,所述薄膜模型为洛伦兹模型或高斯模型,所述表面模型为有效介质模型;
和/或,
所述将所述薄膜模型所含有的至少一个变量参数转换为至少一组梯度化变量参数包括:
按照对拟合结果影响权重由高到低的顺序,选择薄膜模型中的一个或两个变量参数进行梯度化转换;
和/或,
所述梯度化变量参数包括线性梯度变化的变量参数或非线性梯度变化的变量参数。
9.根据权利要求7所述的薄膜纵向不均匀性检测装置,其特征在于,所述进行曲线拟合的收敛条件为均方根误差值小于20。
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