[发明专利]一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构在审
| 申请号： | 201910274292.0 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN109994611A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 孟彦龙;檀珺;徐恺 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电探测器 光谱响应度 源层 底层金属层 顶部介质层 多层结构 金属层 光电探测器结构 波段光谱 反射系数 光学优化 厚度配比 波长光 光波长 全波段 相耦合 波段 衬底 沉积 吸收 制备 | ||
1.一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，基底上依次沉积的底层金属层1、由1~N个子层构成的源层2、金属层3和顶部介质层4组成，底层金属层1与金属层3以及中间源层2构成一种光电探测器结构，顶部介质层4作为光学优化层与光电探测器相耦合。
2.根据权利要求1所述的一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，所述的底层金属层1为Au，Ag，Al，Cu，Ni中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，所述的源层2由1~N个子层构成，N为1~5之间的整数。
4.根据权利要求1所述的一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，所述的金属层3为Au，Ag，Al，Cu，Ni中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，所述的顶部介质层4为ZnO, Si3N4, ,Al2O3，SiO2，ZnS中的一种。
6.根据权利要求2所述的一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，所述的底层金属层1厚度不小于100 nm。
7.根据权利要求3所述的一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，所述的源层2厚度为10nm~200nm之间。
8.根据权利要求4所述的一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，所述的金属层3厚度1 nm ~ 50 nm之间。
9.根据权利要求5所述的一种用于提高光电探测器光谱响应度的多层结构，其特征在于，所述的顶部介质层4厚度为1nm~200nm之间。
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