[发明专利]光学邻近修正方法

权利要求书

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

利用光学邻近修正的仿真模型，在不同尺寸的前层图形上放置相同的当前层图形进行仿真，以形成第一版测试图形，并根据所述第一版测试图形形成第一版光刻版；

根据所述第一版光刻版，在具有不同尺寸的前层图形的晶片上进行光刻得到多组不同的第一版光刻图形；

根据所述第一版光刻图形的尺寸，设计第一版修正规则；

根据所述第一版修正规则形成第二版光刻版，并验证所述第二版光刻版是否满足修正要求；

当所述第二版光刻版满足所述修正要求，则根据所述第二版光刻版出版光刻。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述第一版修正规则形成第二版光刻版，并验证所述第二版光刻版是否满足修正要求包括：

根据所述第一版修正规则，通过所述仿真模型对所述第一版光刻版进行修正，以形成第二版测试图形，并根据所述第二版测试图形形成第二版光刻版；

根据所述第二版光刻版，在具有不同尺寸的前层图形的晶片上进行光刻得到多组不同的第二版光刻图形；

判断所述第二版光刻图形的尺寸是否满足修正要求。

3.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述利用光学邻近修正的仿真模型，在不同尺寸的前层图形上放置相同尺寸的当前层图形进行仿真之前还包括：

采用专用光刻版在晶片上进行光刻，以使所述专用光刻版的图形转移到所述晶片上得到刻蚀图形；

获取所述刻蚀图形的原始数据；

根据所述原始数据建立所述光学临近修正的仿真模型。

4.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述原始数据包括所述刻蚀图形的线宽。

5.根据权利要求4所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述采用专用光刻版在晶片上进行光刻包括：

获取光刻工艺条件，所述光刻工艺条件包括曝光光路的光学参数和刻蚀工艺的化学参数；

根据所述光刻工艺条件，采用专用光刻版在晶片上进行光刻。

6.根据权利要求5所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述第一版光刻版，在具有不同尺寸的前层图形的晶片上进行光刻包括：

根据所述光刻工艺条件和所述第一版光刻版，在具有不同尺寸的前层图形的晶片上进行光刻，以得到多组不同的第一版光刻图形。

7.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述第一版光刻图形的尺寸，设计第一版修正规则包括：

获取预设尺寸；

根据所述第一版光刻图形的尺寸和所述预设尺寸，确定第一版光刻图形的尺寸和所述预设尺寸的差值；

根据所述差值，设计第一版修正规则。

8.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述根据所述第一版修正规则，通过所述仿真模型对所述第一版光刻版进行修正包括：

根据所述第一版修正规则，对所述第一版光刻版上的线宽进行拓宽或缩进。

9.根据权利要求2所述的光学邻近修正方法，其特征在于，当所述第二版光刻图形的尺寸不满足修正要求，则根据所述第二版光刻图形的尺寸设计第二版修正规则；

根据所述第二版修正规则，通过所述仿真模型对所述第二版测试图形进行修正，直至修正后的测试图形对应的光刻版形成的最终版光刻图形的尺寸满足所述修正要求。

10.根据权利要求9所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述修正要求包括：光刻图形的尺寸与所述预设尺寸的差值小于等于预设差值。