[发明专利]阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板在审
申请号: | 201910275080.4 | 申请日: | 2019-04-02 |
公开(公告)号: | CN110109304A | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 杨春辉 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 扫描线 阵列基板 数据线 黑色矩阵层 衬底基板 显示面板 寄生电容 交叠设置 充电率 交叠处 画素 画质 减小 制作 背离 品位 保证 | ||
本发明公开一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板,阵列基板包括衬底基板;扫描线,所述扫描线设于所述衬底基板的一表面;数据线,所述数据线位于所述扫描线背离所述衬底基板的一侧,并与所述扫描线交叠设置;以及黑色矩阵层,所述黑色矩阵层设于所述扫描线和所述数据线之间,且所述黑色矩阵层的至少部分位于所述扫描线和所述数据线的交叠处。本发明技术方案旨在减小数据线和扫描线的寄生电容,提高画素充电率,进而保证阵列基板的对比度和画质品位。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板。
背景技术
示例性技术中,VA(Vertical Alignment,垂直对齐)显示模式像素结构分为TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)侧的像素结构和CF(Color Filter,彩膜基板)侧的像素结构两部分。其中,TFT侧的像素结构主要实现TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)的电学功能,是决定像素电容效应、配向延迟效应、灰阶电压写入特性和保持特性的主要因素;CF侧的像素结构主要实现TFT-LCD的光学功能,是决定TFT-LCD的对比度和色域度的主要因素。以及,完成VA显示从电学输入向光学输出转换的过度元素是像素负荷电容。
而数据线和扫描线上一般会产生寄生电容,该部分寄生电容会干扰到像素负荷电容,并且会增大Date loading(数据线负载)、Gate loading(扫描线负载),继而减小画素充电率,使阵列基板对比度有所下降,影响阵列基板的画质品位。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种阵列基板,旨在减小数据线和扫描线的寄生电容,提高画素充电率,进而保证阵列基板的对比度和画质品位。
为实现上述目的,本发明提供的阵列基板,包括:
衬底基板;
扫描线,所述扫描线设于所述衬底基板的一表面;
数据线,所述数据线位于所述扫描线背离所述衬底基板的一侧,并与所述扫描线交叠设置;以及
黑色矩阵层,所述黑色矩阵层设于所述扫描线和所述数据线之间,且所述黑色矩阵层的至少部分位于所述扫描线和所述数据线的交叠处。
可选地,所述阵列基板还包括:
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述扫描线背离所述衬底基板的一侧,所述数据线设于所述栅极绝缘层背离所述扫描线的一侧;以及
黑色矩阵层,所述黑色矩阵层设于所述数据线与所述栅极绝缘层之间。
可选地,所述黑色矩阵层形成有贯穿孔,所述阵列基板还包括有源层、源极和漏极,所述有源层设于所述栅极绝缘层背离所述扫描线的表面,并位于所述贯穿孔内;
所述源极和所述漏极均设于所述有源层背离所述栅极绝缘层的一侧,所述源极的至少部分伸出所述贯穿孔,并与所述数据线电性连接。
可选地,所述阵列基板还包括:
栅极绝缘层,所述栅极绝缘层设于所述扫描线背离所述衬底基板的一侧,所述数据线设于所述栅极绝缘层背离所述扫描线一侧;以及
黑色矩阵层,所述黑色矩阵层设于所述扫描线与所述栅极绝缘层之间。
可选地,所述阵列基板还包括:
有源层,所述有源层设于所述栅极绝缘层背离所述扫描线的表面,所述有源层投影于所述黑色矩阵层的形成投影轮廓,所述投影轮廓位于所述黑色矩阵层内;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司,未经惠科股份有限公司;滁州惠科光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910275080.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种阵列基板及其缺陷修补方法
- 下一篇:显示面板