[发明专利]一种具有防离子反馈膜的微通道板的制备方法有效
申请号: | 201910275811.5 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN110010431B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 刘欢;刘卫国;白民宇;安妍;韩军;刘蓉;王卓曼;蔡长龙 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
主分类号: | H01J9/00 | 分类号: | H01J9/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 何会侠 |
地址: | 710021 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 离子 反馈 通道 制备 方法 | ||
1.一种具有防离子反馈膜的微通道板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
对微通道板基体进行预处理;
在微通道板基体的上端面上用原子层沉积法直接制备防离子反馈膜,不需要有机膜辅助,不需要薄膜转移;
在微通道板基体上制备微通道孔,在微通道板基体的下端面制备图形化的刻蚀掩蔽层,然后采用刻蚀工艺制备微通道孔;
在微通道孔的内壁上依次制备绝缘层、导电层和二次电子发射层;
去除掩蔽层,得到具有防离子反馈膜的微通道板。
2.如权利要求1所述的具有防离子反馈膜的微通道板的制备方法,其特征在于:在微通道孔刻蚀贯穿前的阶段均能够在微通道板制备防离子反馈膜,依此调整制备步骤。
3.如权利要求1所述的微通道板的制备方法,其特征在于:在微通道板基体上刻蚀微通道孔时,微通道孔即将贯穿微通道板基体前暂停刻蚀;在微通道孔内制备绝缘层、导电层和二次电子发射层后,继续刻蚀贯通微通道孔,使防离子反馈膜覆盖在微通道孔的孔口。
4.如权利要求3所述的具有防离子反馈膜的微通道板的制备方法,其特征在于:微通道孔即将贯穿微通道板基体前暂停刻蚀是指当刻蚀至微通道孔的底部距离微通道板基体设置有防离子反馈膜的端面2μm~8μm时停止刻蚀,使微通道孔不贯穿微通道板基体。
5.如权利要求1所述的具有防离子反馈膜的微通道板的制备方法,其特征在于:避免了有机膜的制备及去除,不需要薄膜转移,杜绝了对微通道板的污染。
6.如权利要求1所述的具有防离子反馈膜的微通道板制备方法,其特征在于:采用原子层沉积法在微通道板上端面制备防离子反馈膜,防离子反馈膜厚度能够在单原子层尺度精确控制,实现防离子反馈膜对电子的透射性能和对阳离子的阻隔性能的良好匹配。
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