[发明专利]用于集成电路的蚀刻剂组合物有效
| 申请号： | 201910275879.3 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110129056B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 杨金顺;魏凤珍;王珏 | 申请（专利权）人： | 上海舸海科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新爱 |
| 地址： | 201900 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 蚀刻 组合 | ||
1.用于集成电路的蚀刻剂组合物，其特征在于：包括，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，
3-10wt%的硝酸；
9-16wt%的盐酸；
0.01-1wt%的仙草胶；
和余量的水；
其中，所述硝酸和盐酸的wt%比是1:0.3-2，所述仙草胶中仙草多糖的含量高于83.25%。
2.根据权利要求1所述的用于集成电路的蚀刻剂组合物，其特征在于：所述蚀刻剂组合物用于蚀刻金属氧化物单层膜或由所述单层膜组成的多层膜。
3.根据权利要求2所述的用于集成电路的蚀刻剂组合物，其特征在于：所述氧化物单层膜包括Ga-X-O层，X为In、Zn或In-Zn。
4.根据权利要求1所述的用于集成电路的蚀刻剂组合物，其特征在于：所述的蚀刻剂组合物还包括表面活性剂。
5.根据权利要求1所述的用于集成电路的蚀刻剂组合物，其特征在于：所述的蚀刻剂组合物还包括硝酸羟胺。
6.根据权利要求5所述的用于集成电路的蚀刻剂组合物，其特征在于：所述蚀刻剂组合物包括，以所述蚀刻剂组合物的总重量计，5-8wt%的硝酸；10-12wt%的盐酸；0.1-0.3wt%的仙草胶；0.5-0.7wt%表面活性剂；0.31-0.33wt%的硝酸羟胺和余量的水。
7.金属氧化物层的蚀刻方法，其特征在于：利用权利要求1-6任一项所述的蚀刻剂组合物。
8.根据权利要求7所述的金属氧化物层的蚀刻方法，其特征在于：所述蚀刻方法包括如下步骤：
在基板上形成金属氧化物层；
选择性地在金属氧化物层上留下光反应型材料，以使金属氧化物层的一部分暴露；
和使用蚀刻剂组合物蚀刻被暴露的金属氧化物层。
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