[发明专利]一种TBC太阳能电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种TBC太阳能电池结构及其制备方法，其特征在于，它包括硅片基体，所述硅片基体的前表面依次设置前表面场和前表面钝化减反射层，所述硅片基体的背面依次设置有隧穿氧化层和背面钝化层，所述隧穿氧化层和所述背面钝化层之间设置有N+掺杂的多晶硅/非晶硅、本征多晶硅/非晶硅和P+掺杂的多晶硅/非晶硅，所述背面钝化层的背面分别设置有正电极副栅线和负电极副栅线。

2.如权利要求1所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述硅片基体的前表面为绒面，所述硅片基体的背面为抛光面或绒面。

3.如权利要求1所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述硅片基体为N型硅片基体，所述前表面场为N+轻掺杂层或N+轻掺杂的TOPCon结构，所述前表面钝化减反射层为SiOx、SiNx或SiOx/SiNx、SiOx/SiONx、SiOx/SiNx/SiONx叠层结构。

4.如权利要求1所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述硅片基体为P型硅片基体，所述前表面场为P+轻掺杂层或P+轻掺杂的TOPCon结构，所述前表面钝化减反射层为AlOx、SiOx、SiNx或SiOx/SiNx、SiOx/AlOx/SiNx、SiOx/AlOx/SiOx、AlOx/SiOx、AlOx/SiNx、AlOx/SiNx/SiONx叠层结构。

5.如权利要求1所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为0-5nm。

6.如权利要求5所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1-2nm。

7.如权利要求1所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述TOPCon结构的多晶硅层或非晶硅层的厚度为5-5000nm。

8.如权利要求1所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述硅片基体背面的多晶硅层或非晶硅层的厚度为100-200nm。

9.如权利要求1所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述硅片基体背面的N+掺杂的多晶硅/非晶硅与P+掺杂的多晶硅/非晶硅之间的本征多晶硅/非晶硅的宽度为1-500μm。

10.如权利要求1所述的TBC太阳能电池结构，其特征在于，所述硅片基体正面的多晶硅层或非晶硅层的厚度为1-100nm。