[发明专利]一种MoS2@CuS异质结镁离子电池正极材料及其制备方法及应用在审
申请号: | 201910276450.6 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN110010872A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 侯小江;杨璐;杨艳玲;王祎;潘俊;石洪昌;锁国权;冯雷;叶晓慧;张荔;朱建锋 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/58;H01M10/054;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 王晶 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 正极材料 异质结 制备 镁离子电池 磁力搅拌 十六烷基三甲基溴化铵 水热反应釜 循环稳定性 结构稳定 纳米花状 去离子水 水热反应 盐酸羟胺 乙醇清洗 复合材料 后冷却 钼酸钠 称取 硫脲 水中 盐酸 离子 应用 坍塌 溶解 电池 | ||
一种MoS2@CuS异质结镁离子电池正极材料及其制备方法及应用,MoS2占x=60~80wt%,其余为CuS材料,制备方法包括分别称取的钼酸钠、的盐酸羟胺及的硫脲溶解于去离子水中,得到溶液A;采用磁力搅拌,向上述溶液A中加入的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),用盐酸调整PH,得到溶液B;在磁力搅拌条件下,向上述溶液B中加入CuCl2·2H2O得溶液C;将上述溶液C转移至水热反应釜,进行水热反应,反应结束后冷却,反应后产物用去离子水和乙醇清洗,干燥,得到纳米花状MoS2@CuS异质结复合材料,本发明所形成的正极材料结合牢靠,结构稳定,不宜坍塌,可显著提升电池的循环稳定性。
技术领域
本发明涉及二次动力电池材料技术领域,特别涉及一种MoS2@CuS异质结镁离子电池正极材料及其制备方法及应用。
背景技术
世界经济的高速发展得益于化石能源的广泛应用,但化石能源不可再生且使用过程中会排放大量有害其他,造成环境污染,且在不久的将来化石能源势必会面临枯竭的问题。为了缓解能源危机及环境污染等问题,寻找可替代化石能源的清洁可再生能源已成为当务之急。
锂离子电池由于其高容量和稳定的循环寿命已被各种电子设备(如数码相机、手机、电脑等)广泛采用。科技不断进步,移动便携设备日益增加,对储能装置的需求量及要求不断提高。然而,锂离子电池因其成本过高、资源有限、安全性、容量有限等缺点日益显著。锂离子电池在不久的将来将不能够满足设备的要求,锂离子电池将无法更好的“驱动”未来的生活。为了更好的满足人们生活需求,必须研究开发新型高容量安全的储能电池。Mg,Al和Ca等电池因自身的显著优点,引起了人们极大的关注。其中,可再充镁电池因其高天然丰度,大气稳定性,低成本、高容量、高安全性及生态友好性而被认为是最具潜力的离子电池之一。Mg离子电池可以实现2205mAh·g-1的高理论比容量和高达3833mAh·cm-3的体积容量。最重要的是,Mg金属电极避免在循环过程中形成树枝状晶体,提高了电池的安全性,有效降低了电池使用过程中的危险性。硫属元素化合物由于其相对低的离子性而显示出巨大的优势。但是,由于Mg2+离子自身带有两个单位正电荷,导致电荷密度较高,Mg2+离子与主体材料间库伦作用较大,使Mg2+离子在晶格间隙中扩散困难,致使材料的电化学利用率和倍率性能较差。
硫及硫复合材料的高理论比容量使其成为极具吸引力的镁离子电池正极材料。硫化铜具有适中的理论比容量(560m Ah g-1)和良好的导电率(10-3S·cm-1)。因此,CuS具有更高的活性材料利用率和更高的库仑效率。MoS2是一种具有前景的二维(2D)石墨烯类层状结构,S-Mo-S层通过弱范德华力联系在一起。MoS2的大中间层(0.62nm)不仅促进离子在层之间的空间内自由嵌入和脱出,而且还可用作缓冲基质以减轻因离子嵌入/脱出造成的体积变化。但是单纯的MoS2材料中部分镁离子无法从宿主结构中脱出,适当引入铜离子后,镁离子能够全部从宿主结构中脱出,从而提升例子电池的库伦效率及充放电容量。目前借助离子掺杂可改善上述问题,但是掺杂方式往往是球磨等粗放工艺,存在掺杂不均匀问题,另外,掺杂后,离子与基体材料的接触不牢靠,多次循环后,电极材料结构往往会因为离子嵌入脱出引起的应力作用而坍塌,从而引起电池循环容量衰减。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种MoS2@CuS异质结镁离子电池正极材料及其制备方法及应用,增强了镁离子电池的导电性能以及提供更多的活性位点,且本发明采用一步水热方式原为合成CuS@MoS2异质结,所形成的正极材料结合牢靠,结构稳定,不宜坍塌,可显著提升电池的循环稳定性。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
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