[发明专利]减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备在审
| 申请号： | 201910277073.8 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN111799438A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李长明;吴超;辛程勋;辛民昌 | 申请（专利权）人： | 青岛九环新越新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M10/0525;H01M10/44 |
| 代理公司： | 重庆航图知识产权代理事务所(普通合伙) 50247 | 代理人： | 胡小龙 |
| 地址： | 266102 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 传质 扩散 控制 完全 设备 | ||
1.一种减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，包括电子绝缘且可通过离子的隔膜，所述隔膜的两侧分别设有电极，其特征在于：所述电极为多孔电极，且所述电极内的孔间距部分或完全满足：
L≤kδ
其中，L为电极内的孔间距；k为系数，且k≥1；δ为扩散控制层厚度。
2.根据权利要求1所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述孔间距为所述电极内或电极外表面可传输电解液的孔之间的间距。
3.根据权利要求1所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：设置在所述电极内的所述孔的孔径大于等于1nm。
4.根据权利要求1所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：设置在所述电极内的所述孔的孔径小于等于1um。
5.根据权利要求1所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：设置在所述电极内的所述孔的孔径小于等于100nm。
6.根据权利要求1所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：设置在所述电极内的所述孔的孔径小于等于50nm。
7.根据权利要求1所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：设置在所述电极内的所述孔的孔径大于等于2nm。
8.根据权利要求1-7任一项所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述电极采用介孔材料制成。
9.根据权利要求7所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述介孔材料内设有用于输送电解液的不规则的联通介孔网络或所述介孔材料内设有规则阵列分布的且指向电极表面的介孔。
10.据权利要求1-7或9所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述孔间距满足：L≤10δ。
11.据权利要求1-7或9所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述孔间距满足：L≤5δ。
12.据权利要求1-7或9所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述孔间距满足：L≤2δ。
13.据权利要求1-7或9所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述孔间距满足：L≤δ。
14.根据权利要求1所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述扩散控制层厚度为：
其中，δ为扩散控制层厚度；D为扩散系数；t为时间。
15.根据权利要求1所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述隔膜为电池隔膜，设置在所述电池隔膜两侧的所述电极分别为正电极和负电极。
16.根据权利要求15所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述正电极和负电极的厚度为1-5000um。
17.根据权利要求15所述减少传质或扩散控制或完全无传质或扩散控制的储能设备，其特征在于：所述正电极和负电极上分别设有与其导电连接的集流体。
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