[发明专利]传感器组件的极化方法有效
申请号: | 201910277238.1 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN110137340B | 公开(公告)日: | 2023-06-20 |
发明(设计)人: | 潘华兵;胡铁刚;周延青;郑泉智 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | H10N30/045 | 分类号: | H10N30/045;G01D11/00 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 组件 极化 方法 | ||
1.一种传感器组件的极化方法,所述传感器组件包括彼此连接的传感器阵列和CMOS电路,所述CMOS电路包括多个像素电路和多个信号处理电路,所述方法包括:
将所述传感器组件放置在栅格极板和第一极板之间;
将所述CMOS电路的半导体衬底与第一极板一起接地;
在所述多个像素电路的复位端提供复位信号,将所述多个像素电路各自的输入端钳位于共模电压,以保护所述CMOS电路的内部电路;
在所述栅格极板和所述第一极板之间施加第一正电压;
在栅格极板上方采用电晕针施加第二正电压,从而对所述传感器阵列进行极化处理;以及
从所述栅格极板和所述第一极板之间取出所述传感器组件。
2.根据权利要求1所述的极化方法,其中,在施加第一正电压期间,将第一电压源的正极和负极分别连接至所述栅格极板和所述第一极板。
3.根据权利要求1所述的极化方法,其中,所述第一正电压的范围为+10KV~+20KV。
4.根据权利要求1所述的极化方法,其中,在施加第二正电压期间,将第二电压源的正极连接至所述电晕针,将第二电压源的负极接地。
5.根据权利要求1所述的极化方法,其中,所述第二正电压的范围为+20KV~+40KV。
6.根据权利要求1所述的极化方法,其中,所述施加第一正电压和第二正电压的步骤在预定温度下持续预定时间。
7.根据权利要求1所述的极化方法,其中,所述传感器阵列包括第一电极、第二电极以及夹在二者之间的压电层,其中,所述第一电极包括彼此隔开的多个子电极,从而形成多个传感器单元;以及
所述CMOS电路包括多个像素电路和多个信号处理电路,所述多个像素电路分别与所述多个传感器单元中的相应组传感器单元相连接,用于对所述组传感器单元的检测信号进行预放大,所述多个信号处理电路分别与所述多个像素电路中的相应组像素电路相连接,用于对预放大信号进行信号处理,
其中,所述CMOS电路的所述多个像素电路分时工作,且所述多个信号处理电路分时工作,使得所述组传感器单元共同用一个像素电路,且所述组像素电路共用一个信号处理电路,
所述像素电路包括:
多个放大模块,分别包括输入端和输出端,所述输入端与所述多个传感器单元中的相应传感器单元相连接,所述多个放大模块分别对所述检测信号进行预放大并且在所述输出端提供预放大信号;
电流源,与所述多个放大模块相连接,以提供恒定电流;以及
偏置电路,与所述多个放大模块相连接,以提供所述恒定电流至地的路径,
其中,所述多个放大模块共用所述电流源和所述偏置电路,在接收外部复位信号时,所述多个放大模块各自的输入端和/或输出端钳位于共模电压。
8.根据权利要求7所述的极化方法,其中,所述放大模块包括多个晶体管,所述多个晶体管中的至少一个晶体管在半导体衬底和所述输入端之间形成寄生二极管,所述寄生二极管作为钳位二极管。
9.根据权利要求8所述的极化方法,其中,所述多个放大模块分别包括:
依次串联连接在供电端和偏置端之间的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,所述供电端与所述电流源相连接,所述偏置端与所述偏置电路相连接,
其中,所述第一晶体管和所述第四晶体管分别作为第一开关和第二开关,用于在所述像素电路分时工作时,从所述多个放大模块中选择一个放大模块对所述检测信号进行预放大,
所述第二晶体管和所述第三晶体管级联组成电荷放大电路,所述第二晶体管的控制端连接至输入端以接收所述检测信号,所述第三晶体管和所述第四晶体管的中间节点连接至输出端以提供所述预放大信号。
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