[发明专利]用于校验版图中的图案偏移的装置和方法

说明书

本公开涉及校验版图中的图案偏移的方法和装置。本公开提供了一种校验版图中的图案偏移的方法，包括：测量版图中的至少一对相邻金属氧化物半导体场效应管MOSFET中的漏极电流；比较每一对MOSFET中的两个MOSFET中的漏极电流；以及基于比较结果，判定该对MOSFET共用的多晶栅极对应的版图图案相对于该对MOSFET的有源区是否存在偏移。

技术领域

本公开涉及半导体领域，具体而言，涉及校验版图中的图案偏移的装置和方法。

背景技术

在半导体领域，随着互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,CMOS)设备尺寸不断减小，CMOS设备内部集成密度不断增大。为了避免集成度增大而导致CMOS设备内部元件互相干扰，通常采用浅沟槽隔离(Shallow TrenchIsolation，STI)技术来进行有源区隔离处理。然而，STI技术会向金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)引入机械应力，并且这是MOSFET沟道中的机械应力的主要来源，会导致MOSFET中迁移率发生变化。通常，STI所引起的机械应力会随着MOSFET几何结构的变化(比如，有源区内栅极的位置、有源区的尺寸，等等)而变化。非专利文献1中公开了STI所引起的机械应力与MOSFET几何结构的关系。因此，MOSFET几何结构中的版图偏移会导致MOSFET中的迁移率变化的不利后果。

随着工艺的持续发展，STI技术应用日益广泛，其对迁移率的影响不容小视。因此，存在校验MOSFET版图中的图案偏移以便补偿迁移率变化的需要。

引文列表

非专利文献

非专利文献1：Bianchi,R.A.Accurate modeling of trench isolationinduced mechanical stress effects on MOS-FET electrical performance.International Electron Devices Meeting IEEE,2003.

发明内容

本公开的目的之一是提供一种新颖的用于校验版图中的图案偏移的装置和方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种校验版图中的图案偏移的方法，其特征在于，包括：测量版图中的至少一对相邻金属氧化物半导体场效应管MOSFET中的漏极电流；比较每一对MOSFET中的两个MOSFET中的漏极电流；以及基于比较结果，判定该对MOSFET共用的多晶栅极对应的版图图案相对于该对MOSFET的有源区是否存在偏移。

根据本公开的第二方面，提供了一种用于校验版图中的图案偏移的装置，其特征在于，包括：测量单元，所述测量单元测量版图中的至少一对相邻金属氧化物半导体场效应管MOSFET中的漏极电流；比较单元，所述比较单元比较每一对MOSFET中的两个MOSFET中的漏极电流；以及判定单元，所述判定单元基于比较结果，判定该对MOSFET共用的多晶栅极对应的版图图案相对于该对MOSFET的有源区是否存在偏移。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1A例示了MOSFET的平面结构示意图。

图1B例示了MOSFET的电路结构示意图。

图2例示了MOSFET的版图的平面结构示意图。