[发明专利]使用防抛光图案形成半导体器件的方法

说明书

一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成设计图案，其中，设计图案从衬底突出；在衬底上形成填充层，其中，填充层至少部分地覆盖设计图案；使用激光照射工艺和/或离子注入工艺在填充层中形成与设计图案相邻的防抛光图案；以及使用化学机械抛光(CMP)工艺去除填充层以暴露出设计图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年5月3日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2018-0051004的优先权，该申请的公开通过引用而全文合并于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及形成半导体器件的方法，更具体地，涉及使用防抛光图案(polishing resistance pattern)形成半导体器件的方法。

背景技术

通常，使用化学机械抛光(CMP)工艺的平坦化技术已经应用于半导体器件的形成。CMP工艺中的材料去除率根据暴露出的表面的构成材料和暴露出的表面的不同高度而变化。在CMP工艺中，具有高度差异大的表面的图案往往易于使图案的边缘塌陷。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成设计图案，其中，所述设计图案从所述衬底突出；在所述衬底上形成填充层，其中，所述填充层至少部分地覆盖所述设计图案；使用激光照射工艺和/或离子注入工艺在填充层中形成与设计图案相邻的防抛光图案；以及使用化学机械抛光(CMP)工艺去除填充层以暴露出设计图案。

根据本发明构思的示例性实施例，一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成设计图案，所述衬底包括沟槽；使用激光照射工艺和/或离子注入工艺在所述设计图案中形成防抛光图案；在所述设计图案上形成填充层，其中，所述填充层填充所述沟槽并覆盖所述设计图案和所述防抛光图案；以及使用化学机械抛光CMP工艺去除所述填充层以暴露出所述防抛光图案。

根据本发明构思的示例性实施例，一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成突出的设计图案；在所述衬底上形成填充层，其中，所述填充层覆盖所述设计图案的侧表面和上表面；使用激光照射工艺与所述设计图案相邻并且在所述填充层中形成防抛光图案；以及使用化学机械抛光(CMP)工艺平坦化所述填充层和所述防抛光图案，直到暴露出所述设计图案为止。所述防抛光图案设置在所述衬底的边缘和所述设计图案之间，并且在所述CMP工艺中，所述防抛光图案的材料去除率与所述填充层的材料去除率不同。

根据本发明构思的示例性实施例，一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成设计图案；在所述设计图案上形成填充层；在所述填充层中且在所述衬底的边缘和所述设计图案之间形成防抛光图案，其中，所述填充层设置在所述设计图案和所述防抛光图案之间；以及去除所述填充层以暴露出所述设计图案。

附图说明

由于通过在结合附图考虑时参考以下具体实施方式使得本公开及其很多随附方面变得更好理解，因此可以容易获得对本公开及其很多随附方面的更完整的理解，在附图中：

图1是示出了根据本发明构思的示例性实施例的形成半导体器件的方法的图；

图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11是示出了根据本发明构思的示例性实施例的沿图1的线I-I’截取的形成半导体器件的方法的横截面图；

图12是示出了根据本发明构思的示例性实施例的图1的部分的放大视图；

图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19和图20是示出了根据本发明构思的示例性实施例的沿图12的线II-II’截取的形成半导体器件的方法的横截面图；以及

图21、图22、图23和图24是示出了根据本发明构思的示例性实施例的形成半导体器件的方法的横截面图。

具体实施方式