[发明专利]有机电致发光材料及应用该材料的OLED存储器件在审

专利信息
申请号: 201910279177.2 申请日: 2019-04-09
公开(公告)号: CN110054581A 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 钱妍;王英男;叶静芳;密保秀;高志强;仪明东;张广维;解令海 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: C07D209/86 分类号: C07D209/86;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 姚姣阳
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 存储器件 有机电致发光材料 有机电致发光 多功能器件 存储器 保密存储 存储功能 发光功能 发光效果 可视信息 色稳定性 制备工艺 应用 发光 存储
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光材料,其特征在于,所述有机电致发光材料的名称为2,5-二咔唑基-1,4-对苯二甲酸甲酯,结构式如下:

2.一种OLED存储器件,其特征在于:所述OLED存储器件包括一有机发光层,所述有机发光层的材料为如权利要求1所述的有机电致发光材料。

3.根据权利要求2所述的OLED存储器件,其特征在于:所述OLED存储器件为上下叠合的多层结构,所述OLED存储器件由下至上依次为基片、阳极层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层。

4.根据权利要求3所述的OLED存储器件,其特征在于:所述基片的材料为玻璃或柔性塑料。

5.根据权利要求3所述的OLED存储器件,其特征在于:所述阳极层的材料为无机材料,所述无机材料为氧化铟锡或氧化铟锌二者中的任意一种。

6.根据权利要求3所述的OLED存储器件,其特征在于:所述空穴传输层的材料为NPB;所述空穴传输层的厚度为10nm~50nm。

7.根据权利要求3所述的OLED存储器件,其特征在于:所述有机发光层的厚度为20nm~60nm。

8.根据权利要求3所述的OLED存储器件,其特征在于:所述电子传输层的材料为TPBI;所述电子传输层的厚度为10nm~50nm。

9.根据权利要求3所述的OLED存储器件,其特征在于:所述电子注入层的材料为LiF;所述电子注入层的厚度为0.8nm~1.5nm。

10.根据权利要求3所述的OLED存储器件,其特征在于:所述阴极层的材料为金、银、铜、铝、镁中的任意一种;所述阴极层的厚度为100nm~200nm。

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