[发明专利]存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

一电阻转态层，设置于一第一电极上方；

一盖层，设置于所述电阻转态层上方，其中所述盖层的底表面小于所述电阻转态层的顶表面；

一保护层，设置于所述电阻转态层上方且环绕所述盖层；以及

一第二电极，其至少一部分设置于所述盖层上方且覆盖所述保护层。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述保护层的材料与所述第二电极的材料相同。

3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述保护层包括一间隔物，且所述间隔物包括介电材料。

4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述保护层远离所述盖层的一侧壁与所述第二电极的一侧壁以及所述第一电极的一侧壁共平面。

5.如权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，所述保护层的所述侧壁与所述电阻转态层的一侧壁共平面。

6.如权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，还包括一遮罩层设置于所述第二电极上方，其中所述遮罩层的一侧壁与所述保护层的所述侧壁共平面。

7.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括一阻挡层设置于所述盖层和所述保护层之间。

8.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述阻挡层延伸至所述盖层下方。

9.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述阻挡层延伸至所述保护层下方。

10.如权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，所述阻挡层覆盖所述盖层的顶表面。

11.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述盖层包括金属、金属氮化物或前述的组合。

12.一种存储器装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成一第一电极；

在所述第一电极上方形成一电阻转态层；

在所述电阻转态层上方形成一盖层，其中所述盖层的底表面小于所述电阻转态层的顶表面；

在所述电阻转态层上方形成一保护层，其中所述保护层环绕所述盖层；

在所述盖层上方形成一第二电极，其中所述第二电极覆盖所述保护层；

在所述第二电极上方形成一遮罩层；以及

以所述遮罩层作为刻蚀遮罩进行刻蚀制造工艺，使得所述第一电极、所述电阻转态层、所述盖层、所述保护层、所述第二电极和所述遮罩层的侧壁共平面。

13.如权利要求12所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，所述保护层包括所述第二电极的一部分，且所述第二电极的所述部分的形成包括：

在形成所述盖层之后，移除所述盖层的一外围部分；以及

在所述盖层上方形成所述第二电极，且所述第二电极的所述部分延伸至所述盖层的顶表面下方以环绕所述盖层。

14.如权利要求13所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在移除所述盖层的所述外围部分之后，在所述盖层和所述电阻转态层上顺应性地形成一阻挡层；以及

在形成所述第二电极之后，所述阻挡层位于所述盖层和所述第二电极之间。

15.如权利要求12所述的存储器装置的制造方法，其特征在于，所述保护层包括一间隔物，其中所述间隔物包括介电材料，且所述间隔物的形成包括：

在形成盖层之后，移除所述盖层的一外围部分；

在所述电阻转态层上方形成所述间隔物，且所述间隔物环绕所述盖层；以及

进行一平坦化制造工艺，使得所述盖层的顶表面与所述间隔物的顶表面共平面。