[发明专利]基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置

权利要求书

1.一种基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，包括放电电容、载流磁场输出线圈、整流二极管、可控硅、控制电路及保护电路，所述放电电容、所述载流磁场输出线圈、所述整流二极管及所述可控硅形成电流通路，所述放电电容与外界电源连接，用于为所述载流磁场输出线圈提供电源，所述载流磁场输出线圈用于产生磁场，所述控制电路设置于所述可控硅上，用于调控所述基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置的输出频率，所述控制电路包括与所述可控硅连接的的高频扼流圈和设置于电路板上的控制芯片，所述控制芯片用于控制所述电流通路的导通和关闭。

2.根据权利要求1所述的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，所述保护电路设有吸收电阻和吸收电容，所述吸收电阻和所述吸收电容串联设置。

3.根据权利要求2所述的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，所述吸收电容为无感吸收电容，容值为0.1uF~1uF，耐压值为700~5000V，所述吸收电阻阻值为1~8Ω，功率为50~200W。

4.根据权利要求1所述的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，所述可控硅的导通电流为100A~3000A，耐压值为700~5000V。

5.根据权利要求1所述的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，所述整流二极管的导通电流为100A~3000A ，耐压值为700~5000V。

6.根据权利要求1所述的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，所述放电电容为无极性薄膜电容或超级电容，由一个或多个电容并接而成，所述放电电容的总电容值为35uF~210uF，电容耐压值为700~5000V。

7.根据权利要求1所述的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，所述载流磁场输出线圈采用导电线的材料绕制而成，其绕制形状选自8字形、O形、环形或弹簧形。

8.根据权利要求7所述的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，所述导电线的材料选自铜、铝、银、金或合金。

9.根据权利要求1所述的基于可控硅和LC谐振的强磁脉冲输出装置，其特征在于，所述控制芯片选自CPLD，STM32，NXP或AT系列单片机。