[发明专利]一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910280197.1 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110104959A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 侯慧林;梁钊;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C03C17/34 | 分类号： | C03C17/34;C03C23/00;B01J21/06 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 王玲华 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米半导体 等离子氢化 修饰 制备 量子点 等离子体设备 半导体纳米 量子点溶液 工作气体 光电催化 加热处理 浸入 光阳极 混合气 浸泡 | ||
1.一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体，其特征在于，所述共同修饰的纳米半导体由纳米半导体材料依次经等离子氢化和碳量子点处理而得。
2.如权利要求1所述的一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)在FTO导电玻璃上制备纳米半导体；
(2)使用等离子体设备处理纳米半导体，以H2/Ar混合气为工作气体，加热处理，获得等离子氢化纳米半导体；
(3)将等离子氢化纳米半导体浸入碳量子点溶液中，25～100℃下浸泡1～5小时，获得等离子氢化和碳量子点共同修饰纳米半导体。
3.根据权利要求2所述的一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体的制备方法，其特征在于，所述半导体为TiO2、ZnO、WO3、Fe2O3、V2O5中的一种或多种。
4.根据权利要求2所述的一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体的制备方法，其特征在于，所述H2/Ar混合气中，H2体积分数为15-30％。
5.根据权利要求2所述的一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体的制备方法，其特征在于，等离子体设备功率为200～400W，加热温度为100～400℃。
6.根据权利要求2所述的一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体的制备方法，其特征在于，加热时间为10～90分钟。
7.根据权利要求2所述的一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体的制备方法，其特征在于，所述碳量子点为纯碳量子点或掺杂碳量子点。
8.根据权利要求2所述的一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体的制备方法，其特征在于，所述碳量子点溶液的制备方法，包括以下步骤：尿素和维生素C的混合物或维生素C溶解于乙醇溶液中，超声处理1-3h，然后在反应釜中，于130-180℃下反应4～6小时，冷却后使用有机溶剂萃取，使用透析袋透析12-36h，获得碳量子点溶液。
9.根据权利要求2所述的一种等离子氢化和碳量子点共同修饰的纳米半导体的制备方法，其特征在于，透析袋的截留分子量为3500D。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波工程学院，未经宁波工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910280197.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
