[发明专利]一种多元高熵合金薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将单面抛光的硅片清洗；

2)将清洗好的硅片基底吹干，使其表面没有任何水渍；

3)将硅片基底置于进样室进行反溅，进一步去除材料表面杂质，从而提高基底表面质量；

4)将硅片基底传入溅射室内，所需金属单质靶材分别置于靶盘上，加热烘烤腔体，抽真空至4.0×10^-4～5.0×10^-5Pa；

5)通入Ar气，将靶材接入电源，设置溅射功率和偏压，调整工作气压至4.5×10^-1Pa，预溅射15～20min，用于清理靶材表面的杂质，提高靶材的纯度；

6)打开硅片基底挡板，之后打开自转，开始溅射；

7)溅射结束，依次关闭电源，偏压，停止通入氩气，之后继续抽真空，后取出冷却的硅片基底，基底上既能得到该耐腐蚀高熵合金薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，将单面抛光的硅片基底首先放在丙酮中超声清洗，之后放于乙醇中超声清洗，最后置于去离子水中超声清洗。

3.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4)中所需靶材为四块单质金属靶，纯度为99.99％。

4.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4)中使用加热带烘烤腔体。

5.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤5)调整各个单质靶材溅射功率，使最后的薄膜达到所需的成分配比，进一步提高薄膜生长速率。

6.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤5)使用偏压为-70V。

7.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤5)使用的氩气为含氢量为2％的氩气。

8.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤7)中得到的沉积在硅片基底上的四元耐腐蚀高熵合金薄膜厚度在于1.0-2.0μm，其结构为BCC单相固溶体。

9.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，步骤7)中得到沉积在硅片基底上的四元耐腐蚀刚上合金薄膜具有良好地耐腐蚀性，以及高达8～10GPa的硬度，折合弹性模量99～139GPa。