[发明专利]半导体晶片处理腔室及半导体处理设备

权利要求书

1.一种半导体晶片处理腔室，包括腔体、设置在所述腔体内可沿竖直方向移动的片盒和设置在所述腔体内的加热组件，其特征在于，还包括温度检测组件，所述温度检测组件的检测部为温度检测板，所述温度检测板设置在所述腔体内，且与所述腔体固定连接，用于检测所述腔体的内部温度。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述温度检测板所采用的材料包括铝合金、铝或者铜。

3.根据权利要求1所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述温度检测板的厚度的取值范围在13mm-17mm。

4.根据权利要求1所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述温度检测板的重量的取值范围在2Kg～2.5Kg。

5.根据权利要求1所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述温度检测组件还包括隔热板，所述隔热板设置在所述温度检测板与所述腔体之间，且分别与二者固定连接。

6.根据权利要求5所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述隔热板与所述腔体之间的接触面积小于所述温度检测板与所述腔体相对的表面面积。

7.根据权利要求5所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述隔热板所采用的材料包括钛合金。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述腔体的侧壁上开设有传片口，所述传片口用作所述晶片传入或传出所述腔体的通道；所述腔体以所述传片口为界分为第一腔体和第二腔体；

所述加热组件包括第一光源件和第二光源件，所述第一光源件沿所述第一腔体的周向而环绕所述第一腔体设置于所述第一腔体的侧壁的内侧；所述第二光源件沿所述第二腔体的周向而环绕所述第二腔体设置于所述第二腔体的侧壁的内侧；

所述片盒能在所述第一光源件和所述第二光源件围成的空间内移动；所述第一光源件和所述第二光源件用于对所述片盒内的所述晶片进行加热；

所述温度检测板为两个，且分别位于所述片盒的上方和下方，用于分别检测所述第一光源件和所述第二光源件各自围成的空间内的温度。

9.根据权利要求8所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，当所述片盒在最高位置时，位于所述片盒上方的所述温度检测板与所述片盒的顶板之间的竖直间距大于或等于30cm；当所述片盒在最低位置时，位于所述片盒下方的所述温度检测板与所述片盒的底板之间的竖直间距大于或等于30cm。

10.根据权利要求8所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述加热组件还包括第一反光筒和第二反光筒，所述第一反光筒位于所述第一腔体和所述第一光源件之间；所述第二反光筒位于所述第二腔体和所述第二光源件之间；

所述第一反光筒和所述第二反光筒用于将照射到其上的光线向所述片盒内的所述晶片反射。

11.根据权利要求10所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，所述加热组件还包括第一反光板和第二反光板，所述第一反光板盖合在所述第一反光筒的远离所述传片口的一端，所述第二反光板盖合在所述第二反光筒的远离所述传片口的一端；

所述第一反光板和所述第二反光板用于将照射到其上的光线向所述片盒反射。

12.根据权利要求11所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，两个所述温度检测板分别位于所述第一反光板的下方和所述第二反光板的上方。

13.根据权利要求1所述的半导体晶片处理腔室，其特征在于，半导体晶片处理腔室包括去气腔室。

14.一种半导体处理设备，其特征在于，包括权利要求1-13任意一项所述的半导体晶片处理腔室。