[发明专利]一种运行稳定的大电流MOS管

说明书

本发明公开了一种运行稳定的大电流MOS管，所述制备工艺如下：双阱注入在硅片上生成n阱和p阱，浅槽隔离用于隔离硅有源区，通过生长栅氧化层、淀积多晶硅和刻印得到栅结构，LDD注入形成源漏区的浅注入，制作侧墙在随后的源、漏注入当中保护沟道，中等能量的源、漏注入，形成的结深大于LDD的注入深度，金属接触形成硅化物接触将金属钨和硅紧密结合在一起，局部互连形成晶体管和触点间的第一层金属线；本发明的有益效果是：使得制备的大电流MOS管运行更稳定，有着良好的推广价值；制备简洁，缩短了制备的耗时，提高了制备效率。

技术领域

本发明属于MOS管技术领域，具体涉及一种运行稳定的大电流MOS管。

背景技术

MOS管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

现有的MOS管存在着运行不稳定的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种运行稳定的大电流MOS管，以解决上述背景技术中提出的现有的MOS管存在着运行不稳定的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种运行稳定的大电流MOS 管，所述制备工艺如下：

步骤一：双阱注入在硅片上生成n阱和p阱；

步骤二：浅槽隔离用于隔离硅有源区；

步骤三：通过生长栅氧化层、淀积多晶硅和刻印得到栅结构；

步骤四：LDD注入形成源漏区的浅注入；

步骤五：制作侧墙在随后的源、漏注入当中保护沟道；

步骤六：中等能量的源、漏注入，形成的结深大于LDD的注入深度；

步骤七：金属接触形成硅化物接触将金属钨和硅紧密结合在一起；

步骤八：局部互连形成晶体管和触点间的第一层金属线；

步骤九：第一层层间介质淀积，并制作连接局部互连金属和第一层金属的通孔1；

步骤十：用于第一次金属刻蚀的第一层金属淀积金属三明治结构并刻印该层金属；

步骤十一：淀积第二层层间介质并制作通孔2；

步骤十二：第二层金属通孔3淀积第二层金属叠加结构，并淀积和刻蚀第三层层间介质；

步骤十三：第三层金属到压点刻蚀、合金化重复这些成膜工艺直到第五层金属压焊淀积完毕，随后是第六层层间介质和钝化层的制作；

步骤十四：参数测试，验证硅片上每一个管芯的可靠性。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述n阱形成的步骤：外延生长、原氧化生长、第一层掩膜，n阱注入、n阱注入(高能)、退火。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述p阱形成的步骤：第二层掩膜， p阱注入、p阱注入(高能)、退火。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述浅槽隔离的步骤：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。

作为本发明的一种优选的技术方案，所述制作通孔1的主要步骤：第一层层间介质氧化物淀积(化学气象淀积)、氧化物磨抛、第十层掩膜、第一层层间介质刻蚀。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

(1)使得制备的大电流MOS管运行更稳定，有着良好的推广价值；

(2)制备简洁，缩短了制备的耗时，提高了制备效率。

附图说明

图1为本发明的n阱的形成结构示意图；