[发明专利]LED制备方法及LED有效
| 申请号： | 201910282870.5 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110061105B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张宇;康建;杨天鹏;戚雪林;周荣 | 申请（专利权）人： | 江西圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 文小莉;刘芳 |
| 地址： | 337000 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 制备 方法 | ||
1.一种LED制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成AlN层；
在所述AlN层上依次生长无掺杂GaN层和N型GaN层；
在所述N型GaN层上生长电子扩散层；
在所述电子扩散层上生长应力释放层，其中，所述生长应力释放层包括重复生长层叠的、超晶格生长的InN层和InGaN层；
在所述应力释放层上生长发光层；
在所述发光层上生长P型GaN层；
所述在所述应力释放层上生长发光层，包括：
在所述应力释放层上生长第一发光层；
所述在所述应力释放层上生长第一发光层，包括：
生长InGaN层；
生长掺杂Si的N型GaN层；
重复生长InGaN层和N型GaN层。
2.根据权利要求1所述的LED制备方法，其特征在于，所述在所述电子扩散层上生长应力释放层，包括：
控制反应温度为800-850℃，压力为100-300托，通入氮气、氨气、In源在所述电子扩散层上生长厚度为1-2nm的掺杂In的InN层；
控制反应温度为800-850℃，压力为100-300托，通入氮气、氨气、第二镓源、In源和SiH4，在所述InN层上生长厚度为3-6nm的InGaN层；
重复生长所述InN层和所述InGaN层，重复次数为6-15次。
3.根据权利要求1所述的LED制备方法，其特征在于，所述在所述电子扩散层上生长应力释放层，包括：
控制反应温度为800-850℃，压力为100-300托，通入氮气、氨气、第二镓源、In源和SiH4，在所述电子扩散层上生长厚度为3-6nm的InGaN层；
控制反应温度为800-850℃，压力为100-300托，通入氮气、氨气、In源在所述InGaN层生长厚度为1-2nm的掺杂In的InN层；
重复生长所述InGaN层和所述InN层，重复次数为6-15次。
4.根据权利要求1所述的LED制备方法，其特征在于，所述在所述电子扩散层上生长应力释放层之前，还包括：
控制反应温度为850-950℃，压力为100-300托，通入氮气、氨气、第一镓源和SiH4，在所述电子扩散层上生长厚度为30-60nm的掺杂Si的N型GaN层；
所述在所述电子扩散层上生长应力释放层，包括：
在所述电子扩散层上形成的所述N型GaN层上生长所述应力释放层。
5.根据权利要求1-4任一项所述的LED制备方法，其特征在于，所述在所述应力释放层上生长发光层之前，还包括：
控制反应温度为900-950℃，压力为100-300托，通入氮气、氨气、第一镓源和SiH4，在所述应力释放层上生长厚度为10-30nm的掺杂Si的N型GaN层；
所述在所述应力释放层上生长发光层，包括：
在所述应力释放层上形成的所述N型GaN层上生长所述发光层。
6.根据权利要求1-4任一所述的LED制备方法，其特征在于，所述在所述应力释放层上生长第一发光层，还包括：
在所述第一发光层上生长第二发光层。
7.根据权利要求1所述的LED制备方法，其特征在于，所述生长InGaN层，包括：
控制反应温度为700-750℃，压力为100-300托，通入氮气、氨气、第二镓源和In源，生长2.5-4.5nm的InGaN层；
所述生长掺杂Si的N型GaN层，包括：
控制反应温度为900-980℃，压力为100-300托，通入氮气、氨气、第二镓源和SiH4，生长8-16nm的掺杂Si的N型GaN层；
所述重复生长InGaN层和N型GaN层，重复次数为10-15次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西圆融光电科技有限公司，未经江西圆融光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910282870.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
