[发明专利]一种兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910283072.4 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110016343A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 彭明营;汪秀 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 长余辉 铋掺杂 余辉 发光 长余辉发光 橙红色区域 规模化生产 含铋化合物 近红外波段 紫外光激发 发光现象 发光颜色 发明材料 光致发光 激发波长 激活离子 摩尔配比 激发带 晶体的 强吸收 称取 含锶 混匀 可调 煅烧 冷却 探测 合成 检测 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体，其特征在于，其化学通式为Sr3Y2Ge3O12:xBi3+，其中x为摩尔分数，且0<x≤3％。
2.根据权利要求1所述兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体，其特征在于，晶体结构属于三斜晶系，发光离子为Bi3+离子。
3.权利要求1或2所述兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)分别按各元素摩尔配比称取含锶化合物、含钇化合物、含锗化合物及含铋化合物作为原料；各元素摩尔配比为Sr:Y:Ge:O:Bi＝3:2:3:12:x，其中x为摩尔分数，且0＜x≤3％；
(2)将原料研磨后，在1473～1573K煅烧4-8h，冷却至室温，研磨均匀后获得所述兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体。
4.根据权利要求3所述兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含锶化合物为锶的氧化物或锶的碳酸盐。
5.根据权利要求3或4所述兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含钇化合物为钇的氧化物。
6.根据权利要求3或4所述兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含锗化合物为锗的氧化物。
7.根据权利要求3或4所述兼具长余辉和力致发光的铋掺杂晶体的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述含铋化合物为三氧化二铋或硝酸铋。
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