[发明专利]一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法有效
| 申请号： | 201910283426.5 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110010449B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 刘开辉;刘灿;洪浩;王卿赫 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/205;H01L21/363;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 董柏雷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 制备 一维碳 纳米 二维 过渡 金属 化合物 异质结 方法 | ||
1.一种高效制备一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
（一）利用化学气相沉积法在衬底上生长碳纳米管；所述化学气相沉积法生长碳纳米管的温度为700-1000℃，时间为5分钟-2小时；
（二）将生长得到的碳纳米管高温退火以去除衬底及碳纳米管表面的无定形碳，其中，所述退火过程为氢气或水蒸气氛围，退火温度为500℃-700℃，退火时间为5分钟-2小时；
（三）在退火后的衬底上生长二维过渡金属硫族化合物，得到一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物范德华异质结；所述生长二维过渡金属硫族化合物的方法包括化学气相沉积法或物理气相沉积法，所述生长二维过渡金属硫族化合物的温度为500℃-900℃，氩气流量为5 sccm-500 sccm，时间为1分钟-1小时；
其中，所述退火在保持碳纳米管完整性的同时，降低了碳纳米管上过渡金属硫族化合物的成核数目。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤一中化学气相沉积法生长碳纳米管的碳源为乙醇、甲烷或乙烯。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述退火过程为氢气氛围，退火时间为20分钟-1小时。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述退火过程为水蒸气氛围，退火时间为20分钟-1小时。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火过程中的氢气流量为2 sccm-500sccm。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述二维过渡金属硫族化合物包括二硫化钼、二硫化钨或二硒化钼。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述衬底包括SiO2/Si、石英或氧化铝衬底。
8.一维碳纳米管/二维过渡金属硫族化合物异质结，其特征在于，所述异质结采用权利要求1-7任一项所述的方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
