[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：

基板，所述基板包括单元阵列区域和焊盘区域；

堆叠结构，所述堆叠结构设置在所述基板的所述单元阵列区域和所述焊盘区域上，并包括栅电极；

器件隔离层，所述器件隔离层与所述堆叠结构垂直地交叠并设置在所述基板的所述焊盘区域中；

第一虚设垂直沟道部分，所述第一虚设垂直沟道部分在所述基板的所述焊盘区域上穿进所述堆叠结构并设置在所述器件隔离层中；以及

第一虚设半导体柱，所述第一虚设半导体柱设置在所述第一虚设垂直沟道部分和所述基板的与所述器件隔离层的一个侧壁接触的一部分之间。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一虚设半导体柱的底表面设置在比所述器件隔离层的底表面的水平高度高的水平高度处。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一虚设半导体柱的底表面设置在与所述器件隔离层的底表面的水平高度基本相同的水平高度处。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：

虚设电荷存储结构，所述虚设电荷存储结构设置在所述第一虚设半导体柱和所述第一虚设垂直沟道部分之间，并围绕所述第一虚设垂直沟道部分的外侧壁。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一虚设垂直沟道部分穿进所述虚设电荷存储结构以与所述器件隔离层接触，并与所述第一虚设半导体柱间隔开。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一虚设垂直沟道部分穿进所述虚设电荷存储结构以与所述第一虚设半导体柱接触，并与所述器件隔离层间隔开。

7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一虚设垂直沟道部分通过所述虚设电荷存储结构与所述第一虚设半导体柱和所述器件隔离层间隔开。

8.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第一虚设垂直沟道部分穿进所述虚设电荷存储结构，以与所述器件隔离层和所述第一虚设半导体柱接触。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一虚设半导体柱穿进所述器件隔离层的所述一个侧壁的一部分，并部分地设置在所述基板中。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述堆叠结构沿与所述基板的顶表面平行的第一方向延伸，并且所述半导体存储器件还包括：

第二虚设垂直沟道部分，所述第二虚设垂直沟道部分在所述基板的所述焊盘区域上沿与所述第一方向交叉的第二方向与所述第一虚设垂直沟道部分间隔开，所述第二虚设垂直沟道部分穿进所述堆叠结构并设置在所述器件隔离层中；以及

第二虚设半导体柱，所述第二虚设半导体柱在所述器件隔离层中设置在所述第二虚设垂直沟道部分和所述基板的另一部分之间，所述基板的所述另一部分与所述器件隔离层的另一侧壁接触，所述器件隔离层的所述另一侧壁与所述器件隔离层的所述一个侧壁相对，

其中，所述第一虚设半导体柱的底端和所述第二虚设半导体柱的底端之间的距离大于或等于所述器件隔离层的底表面在所述第二方向上的宽度。