[发明专利]一种用于增强量子点荧光的等离子纳米阵列的构筑方法

权利要求书

1.一种用于增强量子点荧光的等离子纳米阵列的构筑方法，其特征在于，包括以下步骤：

①等离子纳米阵列的制备：IPS基底通过纳米压印技术构筑得到IPS方孔阵列，然后利用电阻热蒸发沉积金膜获得等离子纳米阵列；

②将量子点溶液旋涂在步骤①制备所得等离子纳米阵列表面，自然晾干，即得；

步骤②中，所述量子点溶液浓度为1.5-2.5 mg/ml，由CdSe/CdS量子点溶于甲苯、正己烷或正辛烷中获得。

2.如权利要求1所述用于增强量子点荧光的等离子纳米阵列的构筑方法，其特征在于，步骤①中，纳米压印时条件如下：先升温至145-155 ℃并在常压下保温4-6 s，再于18-22bar压力下继续保温保压28-32 s，然后降温至100 ℃以下即可。

3.如权利要求1所述用于增强量子点荧光的等离子纳米阵列的构筑方法，其特征在于，步骤①中，电阻热蒸发沉积金膜具体如下：在真空度6.0×10-4 Pa以下、频率440-460 Hz、转速55-65 rpm条件下，调节热蒸发电源使电流为95-105 A，待金丝完全熔化后电流增加至108 -112 A，控制成膜速率稳定在0.1-0.5 Å/s时开始镀膜，获得厚度在35-50 nm的金膜，即为等离子纳米阵列。

4.如权利要求1所述用于增强量子点荧光的等离子纳米阵列的构筑方法，其特征在于，步骤②中，旋涂时在转速2000-4000 rpm条件下旋涂30-50 s。

5.采用权利要求1至4所述构筑方法构筑所得的等离子纳米阵列。

6.权利要求5所述等离子纳米阵列作为发光器件发光层的应用。