[发明专利]金氧半导体组件

说明书

一种金氧半导体组件，包括重掺杂基板、外延层、开口、复数个金氧半导体单元与金属图案层。外延层是形成于重掺杂基板上。开口是定义于外延层内，以裸露重掺杂基板。这些金氧半导体单元是形成于外延层上。金属图案层包括源极金属图案、闸极金属图案与汲极金属图案。其中，源极金属图案与闸极金属图案是位于外延层上。汲极金属图案是填入前述开口，并由重掺杂基板向上延伸突出外延层。

技术领域

本发明涉及一种金氧半导体组件，尤其是涉及一种芯片级封装的金氧半导体组件。

背景技术

随着可携式电子装置的形状与尺寸日趋缩小，电子组件也朝向体积小、高性能的方向发展。受限于半导体材料本身的特性与半导体制程的先天限制，缩小芯片尺寸的成本越来越高。也因此，透过改变封装方式以缩减封装结构的尺寸已成为半导体产业的发展方向。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在提供一种金氧半导体组件，以缩减封装结构的尺寸，降低封装成本。

本发明提供一种金氧半导体组件。此金氧半导体组件包括重掺杂基板、外延层、开口、复数个金氧半导体单元与金属图案层。其中，外延层是形成于重掺杂基板上。开口是定义于外延层内，以裸露重掺杂基板。这些金氧半导体单元是形成于外延层上。金属图案层包括源极金属图案、闸极金属图案与汲极金属图案。其中，源极金属图案与闸极金属图案是位于外延层上。汲极金属图案是填入前述开口，并由重掺杂基板向上延伸突出外延层。

相较于传统的金氧半导体组件，本发明所提供的金氧半导体组件，可以适用于芯片级封装，有助于缩减封装结构的尺寸，降低封装成本。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1A是本发明金氧半导体组件的第一实施例的俯视图；

图1B是图1A的金氧半导体组件沿着A-A剖面线的剖面图；

图2A至图2E是显示图1A与图1B的金氧半导体组件的制作方法的一实施例；

图3是本发明金氧半导体组件的第二实施例的俯视图；

图4A是本发明金氧半导体组件的第三实施例的俯视图；

图4B是图4A的金氧半导体组件沿着B-B剖面线的剖面图；

图5A至图5E是显示图4A与图4B的金氧半导体组件的制作方法的一实施例；

图6A是本发明金氧半导体组件的第四实施例的俯视图；

图6B是图6A的金氧半导体组件沿着C-C剖面线的剖面图；

图7是本发明金氧半导体组件的第五实施例的俯视图；

图8是本发明金氧半导体组件的第六实施例的俯视图；

图9是本发明金氧半导体组件的第七实施例的俯视图；

图10是本发明金氧半导体组件的第八实施例的俯视图；以及

图11是图1B的金氧半导体组件进行芯片级封装一实施例的示意图。

具体实施方式