[发明专利]一种水中硝氮还原的磷掺杂钴纳米线阵列的制备方法在审
申请号: | 201910284289.7 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN111807474A | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 江波;高佳楠;倪聪聪;袁晶晶;刘奕捷 | 申请(专利权)人: | 青岛理工大学 |
主分类号: | C02F1/461 | 分类号: | C02F1/461;C02F1/467;C25B1/00;C25B11/03;C25B11/04;B82Y30/00;C02F101/16 |
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地址: | 266011 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 水中 还原 掺杂 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种基于P掺杂Co3O4/NF复合电极还原水中硝酸根的电催化技术,其特征在于,先使用水热-热烧结的方法将四氧化三钴纳米线阵列负载到泡沫镍上,随后通过低温磷化的方法将P掺杂进入四氧化三钴的晶格中,即得可电催化还原去除水中硝酸根的电极。
2.一种权利要求1所述电极的制备方法,其特征在于,使用的水热-热烧结方法,水热温度范围为80~180 °C,水热反应时间范围为2~24 h;热烧结温度范围为250~800 °C,烧结时间范围为0.5~6 h。
3.一种权利要求1所述电极的制备方法,其特征在于,所述的金属钴的可溶性前驱体化合物可为钴的硝酸盐、醋酸盐、氯化盐等。
4.一种权利要求1所述电极的制备方法,其特征在于,所述的尿素和氟化铵,其与钴盐的质量比均可以为1:5~5:1。
5.一种权利要求1所述电极的制备方法,其特征在于,所述的次磷酸钠,其质量范围为10~500 mg。
6.一种权利要求1所述电极的制备方法,其特征在于,所述的低温退火,其温度范围为150~500 °C,其时间为1/6~6 h。
7.一种权利要求1所述的制得电极,其采用恒电势的操作方式对水中硝酸根污染物进行还原,所述的恒电势范围为-1.0~-2.0 V/SCE。
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