[发明专利]一种半导体发光元件

权利要求书

1.本发明公开一种半导体发光元件，依次包括衬底、n型氮化物半导体，多量子阱，V-pits，CuInP/Ag₂S核壳量子点，AgInS₂/CuInS₂核壳量子点以及p型氮化物半导体，其特征在于所述CuInP/Ag₂S核壳量子点发出红光；所述AgInS₂/CuInS₂核壳量子点发出绿光，所述多量子阱发出蓝光，从而在同一外延片内形成发出红光、蓝光和绿光的半导体发光元件。

2.根据权利要求1所述一种半导体发光元件，其特征在于：所述V-pits由第一V-pits和第二V-pits组成，所述CuInP/Ag₂S核壳量子点和AgInS₂/CuInS₂核壳量子点位于V-pits内部；所述第一V-pits内具有CuInP/Ag₂S核壳量子点发出红光；所述第二V-pits内具有AgInS₂/CuInS₂核壳量子点发出绿光；所述第一V-pits和第二V-pits之间的多量子阱发出蓝光，从而在同一外延片内形成红光、绿光和蓝光三基色的发光元件。

3.根据权利要求1所述一种半导体发光元件，其特征在于：所述CuInP/Ag₂S核壳量子点还可掺杂Er、Eu元素进行波长调控，通过控制Er和Eu元素的掺杂浓度控制CuInP/Ag₂S核壳量子点的发光波长；所述Er或Eu掺杂元素在CuInP/Ag₂S核壳量子点的掺杂浓度为1.0 E6cm^-3~1.0 E21 cm^-3；

所述CuInP/Ag₂S核壳量子点包括以下掺杂组合形式CuInP:Er/Ag₂S核壳量子点，CuInP/Ag₂S:Er核壳量子点，CuInP:Eu/Ag₂S核壳量子点，CuInP/Ag₂S:Eu核壳量子点，CuInP:Er/Ag₂S:Er核壳量子点，CuInP:Er/Ag₂S:Eu核壳量子点，CuInP:Eu/Ag₂S:Eu核壳量子点，CuInP:Eu/Ag₂S:Er核壳量子点。

4.根据权利要求1所述一种半导体发光元件，其特征在于：所述AgInS₂/CuInS₂核壳量子点还可掺杂Er、Eu元素进行波长调控，通过控制Er和Eu元素的掺杂浓度控制AgInS₂/CuInS₂核壳量子点的发光波长；所述Er或Eu掺杂元素在AgInS₂/CuInS₂核壳量子点的掺杂浓度为1.0 E6cm^-3~1.0 E21cm^-3；

所述AgInS₂/CuInS₂核壳量子点包括以下掺杂组合形式：AgInS₂:Er/CuInS₂核壳量子点，AgInS₂/CuInS₂:Er核壳量子点，AgInS₂:Eu/CuInS₂核壳量子点，AgInS₂/CuInS2:Eu核壳量子点，AgInS₂:Er/CuInS₂:Er核壳量子点，AgInS₂:Er/CuInS₂:Eu核壳量子点，AgInS₂:Eu /CuInS₂:Eu核壳量子点，AgInS₂:Eu /CuInS₂:Er核壳量子点。