[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示装置，定义有一薄膜晶体管区、一电容区以及一发光区，其中所述电容区位在所述薄膜晶体管区与所述发光区之间，其特征在于：所述有机发光二极管显示装置包含：

一基板；

一图案化栅极金属层，设在所述基板上且位在所述薄膜晶体管区中；

一栅极绝缘层，设在所述图案化栅极金属层及位在所述电容区以及所述发光区中的所述基板上；

一有源层，设在所述栅极绝缘层上且位在所述薄膜晶体管区中，其中所述有源层包含一源极区、一漏极区以及一通道区；

一透光导体层，设在所述栅极绝缘层上且位在所述电容区中；

一导线层，贯通所述栅极绝缘层以电性连接所述图案化栅极金属层与所述透光导体层；

一钝化层，覆盖所述有源层、所述透光导体层及所述导线层；

一平坦层，设置在所述钝化层上；以及

一透光阳极层，设置在所述平坦层上并且包含：

一第一部分，贯通所述平坦层与所述钝化层以电性连接所述源极区；

一第二部分，位在所述电容区中且与所述透光导体层形成一透光电容；及

一第三部分，位在所述发光区中。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于：更包含一像素定义层，设置在所述透光阳极层与所述平坦层上，其中所述像素定义层暴露所述第三部分。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于：更包含一有机发光二极管层，设在所述第三部分上。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于：更包含一图案化阴极层，设置在所述有机发光二极管层及所述像素定义层上，其中所述图案化阴极层位在所述薄膜晶体管区与所述发光区中。

5.一种有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：

提供一基板；

形成一图案化栅极金属层在所述基板上且位在一薄膜晶体管区中；

形成一栅极绝缘层在所述图案化栅极金属层及位在一电容区以及一发光区中的所述基板上，其中所述电容区位在所述薄膜晶体管区与所述发光区之间；

形成一图案化透光半导体层在所述栅极绝缘层上并且位在所述薄膜晶体管区与所述电容区中，其中位在所述薄膜晶体管区的所述图案化透光半导体层形成一通道区；

进行一微影与干蚀刻步骤，以形成一通孔贯通所述薄膜晶体管区的栅极绝缘层，并且以使位在所述电容区中的所述图案化透光半导体层形成一透光导体层；

形成一图案化金属层，其中所述图案化金属层包含：

一源极区与一漏极区，分别位在所述薄膜晶体管区中的图案化金属氧化物半导体层的两侧；及

一导线层，形成在所述通孔中并且电性连接所述图案化栅极金属层与所述透光导体层；

覆盖一钝化层在所述图案化金属层及所述透光导体层上；

形成一平坦层在所述钝化层上；

形成一透光阳极层在所述平坦层上，所述透光阳极层包含：

一第一部分，贯通所述平坦层与所述钝化层以电性连接所述源极区；

一第二部分，位在所述电容区中且与所述透光导体层形成一透光电容；及

一第三部分，位在所述发光区中。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于：在形成所述透光阳极层后，所述制造方法更包含步骤：形成一像素定义层在所述透光阳极层与所述平坦层上，其中所述像素定义层暴露所述第三部分。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于：在形成所述像素定义层后，所述制造方法更包含步骤：形成一有机发光二极管层在所述第三部分上。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示装置的制造方法，其特征在于：在形成所述有机发光二极管层后，所述制造方法更包含步骤：形成一图案化阴极层在所述有机发光二极管层及所述像素定义层上，其中所述图案化阴极层位在所述薄膜晶体管区与所述发光区中。