[发明专利]二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种二极管结构，包括：

一第一金属层；

一第一型的导电性半导体层，形成于该第一金属层之上；

一第二型的导电性半导体层，形成于该第一型的导电性半导体层之上，其中该第一型的导电性半导体层与该第二型的导电性半导体层具有相反的导电性，且于该第一型的导电性半导体层与该第二型的导电性半导体层之间形成一PN接面；

至少一沟渠部，穿设于该第二型的导电性半导体层与该第一型的导电性半导体层，与该第一型的导电性半导体层形成一第一接触面，且与该第二型的导电性半导体层形成一第二接触面；以及

一第二金属层，形成于该第二型的导电性半导体层与该至少一沟渠部之上。

2.如权利要求1所述的二极管结构，其中该沟渠部由一多晶硅材料层所构成，且该多晶硅材料层与该第一型的导电性半导体层以及该第二型的导电性半导体层之间还设置有一氧化层。

3.如权利要求1所述的二极管结构，其中该沟渠部由一导电材料层所构成，且该导电材料层与该第一型的导电性半导体层以及该第二型的导电性半导体层之间还设置有一氧化层。

4.如权利要求1所述的二极管结构，其中该第一型的导电性半导体层为一N型的导电性半导体层，该第二型的导电性半导体层为一P+型的导电性半导体层。

5.如权利要求1所述的二极管结构，其中该第一接触面的面积小于该第二接触面的面积。

6.如权利要求1所述的二极管结构，其中该第二型的导电性半导体层还自该至少一沟渠部的侧壁向该至少一沟渠部的底部延伸。

7.如权利要求1所述的二极管结构，其中该第一金属层为一阴极电极，该第二金属层为一阳极电极。

8.如权利要求1所述的二极管结构，其中该第一金属层与该第一型的导电性半导体层之间还包括一第一型掺杂的导电性半导体层。

9.如权利要求1所述的二极管结构，其中该至少一沟渠部还围设形成至少一半导体单元结构区。

10.一种二体极结构的制造方法，包括步骤：

(a)提供一基板，该基板包括一第一金属层与一第一型的导电性半导体层，其中该第一型的导电性半导体层形成于该第一金属层之上；

(b)形成至少一沟渠，自该第一型的导电性半导体层的一表面穿设于该第一型的导电性半导体层之内；

(c)通过该第一型的导电性半导体层的该表面掺杂一第二型的导电性半导体材料至部分的该第一型的导电性半导体层，形成一第二型的导电性半导体层，其中该第一型的导电性半导体层与该第二型的导电性半导体层具有相反的导电性，且于该第一型的导电性半导体层与该第二型的导电性半导体层之间形成一PN接面，

(d)以一导电材料填充该至少一沟渠，形成一至少一沟渠部，其中该至少一沟渠部与该第一型的导电性半导体层形成一第一接触面，且该至少一沟渠部与该第二型的导电性半导体层形成一第二接触面；以及

(e)形成一第二金属层，设置于该第二型的导电性半导体层与该至少一沟渠部之上。

11.如权利要求10所述的二极管结构的制造方法，其中该步骤(b)包括：

(b1)蚀刻该第一型的导电性半导体层，形成至少一沟渠；以及

(b2)于该至少一沟渠的内壁形成一氧化层。

12.如权利要求10所述的二极管结构的制造方法，其中该导电材料为一多晶硅材料或一金属材料。

13.如权利要求10所述的二极管结构的制造方法，其中该第一型的导电性半导体层为一N型的导电性半导体层，该第二型的导电性半导体层为一P+型的导电性半导体层。

14.如权利要求10所述的二极管结构的制造方法，其中该第一接触面的面积小于该第二接触面的面积。