[发明专利]电子束检测样品及检测方法在审
| 申请号： | 201910285568.5 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109860070A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 李丰阳;黄仁德;方桂芹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体器件表面 氧化层 检测 电子束检测 电子束照射 半导体结构表面 电子束能量 覆盖氧化层 电弧击穿 二次电子 晶圆表面 形貌特征 直接照射 电流变 晶圆 逸出 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子束检测方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆表面形成有半导体器件；
在所述半导体器件表面覆盖氧化层；
电子束通过所述氧化层对所述半导体器件进行检测。
2.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1nm-5nm。
3.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，形成所述氧化层的方法为化学气相沉工艺积或扩散工艺。
4.如权利要求3所述电子束检测方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为常压化学气相沉积法或低压化学气相沉积法。
5.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅。
6.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，电子束检测采用的能量为2KeV-2.5KeV。
7.如权利要求1所述电子束检测方法，其特征在于，检测之后，还包括步骤：除去所述氧化层。
8.如权利要求7所述电子束检测方法，其特征在于，除去所述氧化层的工艺为湿法去除工艺。
9.如权利要求8所述电子束检测方法，其特征在于，所述湿法去除工艺包括：采用DHF熔液冲洗所述氧化层。
10.一种电子束检测样品，其特征在于，包括：
晶圆，所述晶圆表面具有半导体器件；
氧化层，覆盖在所述半导体器件表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
