[发明专利]倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法有效
申请号: | 201910285852.2 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN110071052B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 王艳;何志丹;宁福英 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 芯片 失效 结构 位置 标记 方法 以及 分析 | ||
1.一种倒装芯片中失效结构的位置标记方法,所述倒装芯片包括叠层设置的芯片和基板,所述芯片与所述基板之间通过阵列排布的多个互连结构电连接,所述芯片与所述基板之间还设有底部填充层,其特征在于,所述位置标记方法包括:
获取底部填充层中的失效结构在所述互连结构的阵列中的位置信息,所述位置信息以所述阵列的行列数表述;
去除至少部分基板以形成暴露于外部的标记面,其中每个所述互连结构背离芯片的一端皆位于所述标记面上;
在所述标记面上对所述位置信息所指示的位置做上标记。
2.根据权利要求1所述的位置标记方法,其特征在于,所述基板上靠近所述芯片的一端具有阻焊层;
所述去除至少部分基板以形成暴露于外部的标记面,包括:
对基板上背离芯片的一端进行减薄处理至所述阻焊层,以在所述阻焊层上形成暴露于外部的标记面。
3.根据权利要求2所述的位置标记方法,其特征在于,所述减薄处理的方式包括研磨或者切割。
4.根据权利要求1所述的位置标记方法,其特征在于,所述标记的覆盖区域不大于所述位置信息所指示的位置区域。
5.根据权利要求1所述的位置标记方法,其特征在于,所述互连结构包括金属柱以及位于金属柱一端的焊料凸点,所述金属柱背离焊料凸点的一端与所述芯片电连接,另一端通过所述焊料凸点与所述基板电连接。
6.根据权利要求1所述的位置标记方法,其特征在于,所述获取底部填充层中的失效结构在所述互连结构的阵列中的位置信息,包括:
通过扫描装置对所述底部填充层的正面或反面进行成像扫描以获取所述底部填充层的影像图;
根据所述影像图获取失效结构在所述阵列中的位置信息。
7.根据权利要求6所述的位置标记方法,其特征在于,当位于所述标记面上的所述阵列与位于所述影像图上的所述阵列之间为镜像对称关系时,所述位置信息为所述失效结构在所述影像图上的所述阵列中的镜像位置信息。
8.根据权利要求6所述的位置标记方法,其特征在于,所述影像图为衬度图像,所述根据所述影像图获取失效结构在所述阵列中的位置信息,包括:根据所述影像图中的颜色衬度确定所述失效结构的位置,并根据所确定的位置获取所述失效结构在所述阵列中的位置信息。
9.一种倒装芯片中失效结构的分析方法,包括如权利要求1-8任意一项所述的位置标记方法,其特征在于,还包括:
对标记后的所述倒装芯片的一侧进行去除处理至所述标记处,以获取所述标记处的横向截面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造