[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有伪栅结构，所述伪栅结构顶部形成有硬掩膜层；

形成保形覆盖所述硬掩膜层顶部和侧壁、伪栅结构侧壁、以及所述伪栅结构所露出的基底的刻蚀停止层；

在所述伪栅结构露出的基底上形成介质材料层，所述介质材料层覆盖位于所述硬掩膜层上的刻蚀停止层；

以所述刻蚀停止层顶部的最高处为停止位置，对所述介质材料层进行第一平坦化处理；

进行所述第一平坦化处理后，对所述刻蚀停止层和介质材料层进行刻蚀处理，去除高于所述硬掩膜层顶部的刻蚀停止层和介质材料层；

进行所述刻蚀处理后，以所述伪栅结构顶部为停止位置，对所述介质材料层和硬掩膜层进行第二平坦化处理，剩余所述介质材料层作为层间介质层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，进行所述第一平坦化处理。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺进行所述刻蚀处理。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用Siconi工艺进行所述刻蚀处理。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行所述刻蚀处理的步骤中，各区域的介质材料层顶面的高度差异小于10纳米。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，进行所述第二平坦化处理。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行所述刻蚀处理后，进行所述第二平坦化处理之前，还包括：通过刻蚀工艺对所述伪栅结构进行切断处理，在所述介质材料层内形成露出所述基底的开口，所述开口分布在所述伪栅结构的延伸方向上；形成填充于所述开口的隔离材料层，所述隔离材料层还覆盖所述介质材料层和硬掩膜层；以所述硬掩膜层顶部为停止位置，对所述隔离材料层和介质材料层进行第三平坦化处理；

进行第二平坦化处理的步骤中，还对所述隔离材料层进行第二平坦化处理，第二平坦化处理后的剩余隔离材料层用于作为隔离结构。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括底部硬掩膜层以及位于所述底部硬掩膜层上的顶部硬掩膜层，所述底部硬掩膜层的材料为氮化硅，所述顶部硬掩膜层的材料为氧化硅；

对所述刻蚀停止层和介质材料层进行刻蚀处理的步骤中，去除高于所述顶部硬掩膜层顶部的刻蚀停止层和介质材料层；

在所述第三平坦化处理的步骤中，以所述底部硬掩膜层为停止位置。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺，进行所述第三平坦化处理。

10.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述开口之后，形成所述隔离材料层之前，还包括：在所述开口的侧壁上形成保护层。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的材料为氮化硅。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺包括原子层沉积工艺。

13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤包括：形成保形覆盖所述开口底部和侧壁、以及所述硬掩膜层和介质材料层顶部的保护材料层；

采用各向异性刻蚀工艺，去除位于所述硬掩膜层和介质材料层顶部、以及开口底部的保护材料层，保留所述开口侧壁上的剩余所述保护材料层作为所述保护层。

14.一种采用如权利要求1-13任一项所述方法形成的半导体结构。