[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括像素区和隔离区，所述像素区与隔离区相邻，且所述隔离区包围所述像素区；

在所述衬底像素区内形成感光结构；

在所述衬底隔离区表面形成初始栅格层，所述初始栅格层内具有暴露出像素区的初始凹槽；

对所述初始栅格层的侧壁进行减薄，以在所述隔离区表面形成栅格层，且所述栅格层内具有暴露出像素区的凹槽。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述初始栅格层和初始凹槽的形成方法包括：在所述衬底像素区和隔离区表面形成初始栅格材料层；在所述初始栅格材料层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出像素区初始栅格材料层；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述初始栅格材料层，直至暴露出衬底表面，形成初始栅格层和初始凹槽，所述初始凹槽暴露出衬底表面。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成初始栅格材料层之前，还包括：在所述衬底像素区和隔离区表面形成保护层；所述初始栅格材料层位于所述保护层表面；所述初始凹槽暴露出所述保护层表面。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，对所述初始栅格层进行减薄的工艺包括：各向同性的湿法刻蚀工艺或者各向同性的干法刻蚀工艺。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述像素区沿第一方向排布，所述第一方向平行于衬底表面，所述栅格层在所述第一方向上具有第一尺寸，所述第一尺寸为0.1um～0.15um。

6.根据权利要求1或5所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述像素区沿第一方向排布，所述第一方向平行于衬底表面，所述栅格层在所述第一方向上具有第一尺寸，所述初始栅格层在所述第一方向上具有第二尺寸，所述第二尺寸与第一尺寸的差大于零且小于等于0.1um。

7.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：在所述凹槽内形成滤光层；在所述滤光层表面形成透镜层。

8.根据权利要求7所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成滤光层之前，在所述栅格层表面形成阻挡层；所述滤光层位于所述阻挡层表面。

9.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅；所述阻挡层的厚度为300埃～500埃。

10.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述衬底包括第一面和第二面；所述初始栅格层位于所述衬底隔离区的第一面表面；所述图像传感器的形成方法还包括：在所述衬底的隔离区内形成隔离结构，所述衬底第二面暴露出所述隔离结构；形成隔离结构后，在所述衬底第二面表面形成互连层。