[发明专利]应变片制备方法及具有其的应变片及霍普金森杆有效
| 申请号： | 201910287272.7 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110006328B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;唐瑞涛;刘兰兰;付浩然;陆方圆 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人： | 李丽华 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应变 制备 方法 具有 霍普金森杆 | ||
【权利要求书】：
1.应变片制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：
在目标面上打印绝缘基底并固化所述绝缘基底；
在所述绝缘基底上打印应变敏感层；
固化所述应变敏感层；
在所述应变敏感层的端部布设导电部件；
在所述应变敏感层上设置聚合物薄膜层，以使所述聚合物薄膜层覆盖所述应变敏感层与所述导电部件的连接点以及所述应变敏感层，
其中，所述绝缘基底的刚度大于所述应变敏感层的刚度，所述绝缘基底的材料为固化胶黏剂；
所述应变敏感层的材料包括聚合物和导电颗粒，其中，所述聚合物选自聚乙烯、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯中的一种或多种，所述导电颗粒选自石墨烯、碳纳米管、银纳米颗粒中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的应变片制备方法，其特征在于：所述绝缘基底的厚度小于10μm。
3.如权利要求1所述的应变片制备方法，其特征在于：所述导电颗粒的质量分数为10％-30％。
4.如权利要求1所述的应变片制备方法，其特征在于：所述聚合物薄膜层的厚度小于50μm。
5.一种应变片，所述应变片由如权利要求1至4任意一项的所述的应变片制备方法制作而成。
6.一种霍普金森杆，包括应变片，所述应变片由如权利要求1至4任意一项的所述的应变片制备方法制作而成。
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