[发明专利]原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池，其特征在于，包括

N型单晶硅衬底层；

本征非晶硅薄膜，所述本征非晶硅薄膜形成在所述N型单晶硅衬底层的上下两侧表面上；

P型非晶硅薄膜，所述p型非晶硅薄膜形成在一侧所述本征非晶硅薄膜的表面上；

N型的非晶硅薄膜，所述N型的非晶硅薄膜形成在另一侧所述本征非晶硅薄膜的表面上；

透明导电薄膜，所述透明导电薄膜形成在所述P型非晶硅薄膜和所述N型的非晶硅薄膜的表面上；

金属电极，所述金属电极形成在所述透明导电薄膜的表面上；

所述金属电极包括

金属种子层，所述金属种子层通过电化学法原位还原形成在所述透明导电薄膜上；

金属传导层，所述金属传导层电镀在所述金属种子层的表面上。

2.根据权利要求1所述的原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池，其特征在于，所述金属电极形成在两个所述透明导电薄膜的表面上。

3.根据权利要求1或2所述的原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池，其特征在于，所述金属种子层和所述金属传导层之间还电镀有金属粘合层。

4.根据权利要求3所述的原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池，其特征在于，所述金属种子层、金属粘合层、金属传导层的厚度依次为1-80nm、0.1-10μm、0.1-100μm。

5.根据权利要求1所述的一种原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池，其特征在于，所述金属种子层为铟层。

6.根据权利要求3所述的一种原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池，其特征在于，所述金属粘合层包含Ni、Cu、Ag、Cr、Pb、Sn或In中的至少一种金属。

7.根据权利要求6所述的一种原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池，其特征在于，所述金属传导层包含Ni、Cu、Ag、Cr、In、Sn、Al或Au中的至少一种金属。

8.原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S10、制备异质结电池基底，并在异质结电池基底两面上均沉积透明导电薄膜；

步骤S20、再在透明导电薄膜的表面上掩膜成图形；

步骤S30、采用电化学还原法将异质结电池基底上未被掩膜覆盖的透明导电薄膜中In₂O₃：Sn的金属In还原出来，形成金属种子层；

步骤S40、通过电镀的方式在形成金属种子层的掩膜开口处依次电镀金属粘合层、金属传导层；

步骤S50、去除掩膜；

步骤S60、最后进行退火，形成低熔点的界面接触层。

9.根据权利要求8所述的原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S60的退火氛围是氢气、空气、氮气、氩气等气体中的一种或几种的组合，退火温度为150℃-200℃。

10.根据权利要求8所述的原位还原制备电镀种子层的异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述步骤S10的具体过程为：

步骤S101、对N型单晶硅衬底层进行损伤去除及表面织构化；

步骤S102、在N型单晶硅衬底层的两个侧表面均沉积本征非晶硅薄膜；

步骤S103、在两个沉积本征非晶硅薄膜的表面上分别沉积P型非晶硅薄膜、N型的非晶硅薄膜；

步骤S104、在P型非晶硅薄膜的表面上沉积透明导电薄膜；

步骤S105、在N型的非晶硅薄膜的表面上沉积透明导电薄膜。