[发明专利]一种高替代率高效钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910288432.X 申请日: 2019-04-11
公开(公告)号: CN110085745B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 孙宏瑞;张京;甘新磊;俞陆婷;袁浩博;诸跃进 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H10K30/85 分类号: H10K30/85;H10K30/50;H10K99/00;H10K71/00
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 丁少华
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 替代 高效 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高替代率高效钙钛矿太阳能电池,其特征在于:包括层状分布的导电玻璃层、电子传输层、CsPb0.9Zn0.1I2Br多晶膜、空穴传输层以及电极层;

其制备方法包括如下步骤:

步骤①,在导电玻璃层的表面旋涂电子传输层,烧结冷却备用;

步骤②,将ZnI2、PbI2、PbBr2、CsI混合形成钙钛矿前驱液,钙钛矿前驱液中各元素摩尔比Cs:Pb:Zn:I:Br=1:0.9:0.1:2:1;

步骤③,将上述钙钛矿前驱液旋涂至电子传输层上退火,形成CsPb0.9Zn0.1I2Br多晶膜;

步骤④,将空穴传输材料旋涂至CsPb0.9Zn0.1I2Br多晶膜上形成空穴传输层;

步骤⑤,在空穴传输层上蒸镀电极层。

2.根据权利要求1所述的高替代率高效钙钛矿太阳能电池,其特征在于:电子传输层为致密二氧化钛,厚度为100-200nm,空穴传输层材质为Spiro-OMeTAD,厚度为200-300nm。

3.根据权利要求2所述的高替代率高效钙钛矿太阳能电池,其特征在于:CsPb0.9Zn0.1I2Br多晶膜厚度为200nm-1.5μm。

4.根据权利要求3所述的高替代率高效钙钛矿太阳能电池,其特征在于:致密二氧化钛的表面采用四氯化钛处理。

5.根据权利要求1所述的高替代率高效钙钛矿太阳能电池,其特征在于:电子传输层为致密二氧化钛,致密二氧化钛的表面采用四氯化钛处理,并在450-500℃下退火。

6.根据权利要求1所述的高替代率高效钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述空穴传输材料包括Spiro-OMeTAD、氯苯、四丁基吡啶和双三氟甲烷磺酰亚胺锂,Spiro-OMeTAD、四丁基吡啶和双三氟甲烷磺酰亚胺锂的摩尔比为10:8:3,Spiro-OMeTAD在空穴传输材料的有机溶液中的摩尔浓度为1-1.5M。

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