[发明专利]垂直存储器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：

基底，具有沟槽结构；

栅电极，位于基底上，栅电极在与基底的上表面基本垂直的第一方向上彼此分隔开；

沟道，所述沟道包括竖直部分和水平部分，竖直部分沿第一方向延伸穿过栅电极，水平部分在沟槽结构中在与基底的上表面基本平行的第二方向上延伸，水平部分连接竖直部分；以及

外延层，位于基底的第一部分上并且连接到沟道的水平部分，基底的第一部分沿第二方向与栅电极的端部相邻。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器装置，其中：

栅电极中的每个在与基底的上表面基本平行并且与第二方向基本正交的第三方向上延伸，并且

外延层沿第三方向延伸。

3.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，外延层具有弯曲的上表面。

4.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中：

沟道的水平部分包括在第一方向上不与栅电极叠置的第二部分，并且

外延层位于基底的第一部分和沟道的水平部分的第二部分上。

5.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，其中，外延层的位于基底的第一部分上的部分具有比外延层的位于沟道的水平部分的第二部分上的部分的上表面高的上表面。

6.根据权利要求4所述的垂直存储器装置，其中，外延层接触沟道的水平部分的第二部分的侧壁和基底。

7.根据权利要求6所述的垂直存储器装置，其中，外延层的至少一部分包括N型或P型杂质以限定源区。

8.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，其中，基底的第一部分的上部和沟道的水平部分的第二部分的上部包括N型或P型杂质以与外延层的至少一部分一起限定源区。

9.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，其中，外延层的上部包括N型或P型杂质以限定源区，外延层的下部不包括杂质并且将沟道的水平部分连接到基底。

10.根据权利要求7所述的垂直存储器装置，其中，外延层的整个部分包括N型或P型杂质以限定源区。

11.根据权利要求10所述的垂直存储器装置，其中，基底的第一部分的上部和沟道的水平部分的第二部分包括N型或P型杂质以与外延层一起限定源区。

12.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，外延层连接到沟道的水平部分的在第二方向上的端部。

13.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，沟道的竖直部分和水平部分中的每个沿第三方向布置为多个，沟道的多个水平部分分别连接到沟道的多个竖直部分，沟道的多个水平部分共同连接到外延层。

14.根据权利要求13所述的垂直存储器装置，其中，外延层共同连接在基底的第一部分和沟道的沿第三方向布置的多个水平部分上。

15.根据权利要求2所述的垂直存储器装置，其中，沟道的竖直部分沿第二方向和第三方向中的每个方向布置为多个，沟道的水平部分沿第三方向布置为多个以共同连接到沟道的沿第二方向布置的多个竖直部分。