[发明专利]从基底移除陶瓷涂层的方法

说明书

本发明涉及从基底移除陶瓷涂层的方法。提供了一种用于从基底移除陶瓷涂层的方法。该方法包括使陶瓷涂层与包括氟化物源和硝酸的组合物接触。提供了一种形成在饱和磁化强度方面有变化的构件的方法。该方法包括使用陶瓷涂层来掩蔽金属构件的表面的选定部分，以形成带掩模的金属构件；通过使带掩模的金属构件暴露于富氮气氛而使氮选择性地扩散到金属构件中；以及通过使陶瓷涂层与包括氟化物源和硝酸的组合物接触而从金属构件的表面移除陶瓷涂层。

关于联邦政府资助的研发的声明

本发明是根据由美国能源部授予的合同号DE-EE0007755而在政府支持下作出的。政府对本发明具有一定的权利。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及从基底移除陶瓷涂层的方法。更特别地，本公开的实施例涉及移除用作用于金属构件的选择性氮化的掩模的陶瓷涂层的方法。

背景技术

通常有许多先进的陶瓷涂层系统应用于金属构件的一个或多个表面。陶瓷涂层通常用于例如通过提供电绝缘或热绝缘或者通过提供耐磨性、耐腐蚀性或耐氧化性来保护表面或基底。广泛种类的专用材料可用于这些用途。在一些情况下，上文提到的多种陶瓷涂层可用于除了表面保护之外的目的。例如，它们可用作气体阻隔涂层；或用于在基底上实施其它处理步骤时掩蔽基底的区段。

这些陶瓷涂层材料中的许多设计成永久地沉积在基底上，且在这些涂层沉积在其上的构件的寿命期间不会被移除。然而，上文描述的性能涂层中的一些可用于在某一时刻需要移除涂层的应用。一个示例涉及用作掩蔽材料(例如，在对金属构件进行选择性氮化以改变磁性质的期间)的多种陶瓷涂层。

然而，用于从基底移除多种陶瓷涂层的常规材料和过程可表现出缺陷。涂层移除方法中的一些不能够从表面移除大部分涂层材料。其它涂层移除方法可稍微有效地移除涂层材料，但损伤或以其它方式改变下面的基底，例如损伤在氮化期间使用的下面的金属基底。因而，需要从基底移除陶瓷涂层的改进的方法。

发明内容

在本公开的一个方面，提供了一种用于从基底移除陶瓷涂层的方法。陶瓷涂层包括硅化铝、硅酸铝钠、硅酸铝钾、硅酸铝钾钠或它们的组合。该方法包括使陶瓷涂层与包括氟化物源和硝酸的组合物接触。

在本公开的另一方面，提供了一种形成在饱和磁化强度方面有变化的构件的方法。该方法包括使用陶瓷涂层来掩蔽金属构件的表面的选定部分，以形成带掩模的金属构件；通过使带掩模的金属构件暴露于富氮气氛而使氮选择性地扩散到金属构件中；以及通过使陶瓷涂层与包括氟化物源和硝酸的组合物接触而从金属构件的表面移除陶瓷涂层。

技术方案1. 一种用于从基底移除陶瓷涂层的方法，所述方法包括：使所述陶瓷涂层与包括氟化物源和硝酸的组合物接触，其中所述陶瓷涂层包括硅化铝、硅酸铝钠、硅酸铝钾、硅酸铝钾钠或它们的组合。

技术方案2. 根据技术方案1所述的方法，其特征在于，所述氟化物源包括氢氟酸。

技术方案3. 根据技术方案1所述的方法，其特征在于，所述氟化物源包括氟化铵、二氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化锂或它们的组合。

技术方案4. 根据技术方案1所述的方法，其特征在于，所述组合物中的所述氟化物源的量处于从大约5重量%到大约30重量%的范围中。

技术方案5. 根据技术方案1所述的方法，其特征在于，所述组合物中的所述硝酸的量处于从大约50重量%到大约95重量%的范围中。

技术方案6. 根据技术方案1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层在处于从大约25℃到大约60℃的范围中的温度下与所述组合物接触。

技术方案7. 根据技术方案1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷涂层与所述组合物接触达处于从大约10 分钟到大约60 分钟的范围中的持续时间。